【技术实现步骤摘要】
一种子模块结构和压接式功率模块
[0001]本专利技术涉及半导体器件
,特别涉及一种子模块结构和压接式功率模块。
技术介绍
[0002]现有半导体芯片子单元或者子模块的芯片包覆式绝缘胶框设置在芯片和集电极、发射极垫块表面外,由于采用灌封绝缘胶框工艺,胶框与金属垫块热膨胀系数存在差异,因此很容易引起高温下绝缘胶框与金属垫块脱附的问题。
[0003]而在某些改进的方案中由塑料框取代灌封成型的绝缘胶框,芯片通过绝缘胶层固定在塑料框上,这种子单元制造方法需要先对每一个子单元进行封装,且测试时需要逐个子单元测试,效率较低;由于子单元塑料框尺寸较小,结构较复杂,易引起塑料框涂胶时的轨迹偏移等问题,导致绝缘可靠性降低。
[0004]同时,现有的采用银烧结的灌胶子模块或子单元还存在以下缺点:银烧结工艺加工成本较高;结构各个零件之间可能存在间隙,一体成型过程中绝缘胶会渗入间隙中,压接后芯片在漏胶处出现的应力集中导致芯片失效;高温下,钼片金属和绝缘胶之间会出现热膨胀不匹配的现象,有出现绝缘胶直接脱附的风险;采用灌封胶成型侧 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种子模块结构,其特征在于,所述子模块结构包括下导电基板、至少一个芯片、至少一个金属垫块、侧框绝缘胶层和塑料侧框;其中,所述至少一个芯片通过其上下表面焊接在所述至少一个金属垫块和所述下导电基板之间;所述塑料侧框为镂空结构,且置于所述至少一个芯片之上;所述侧框绝缘胶层涂覆于所述至少一个芯片的边缘与所述塑料侧框之间,实现对所述至少一个芯片的绝缘保护。2.根据权利要求1所述的子模块结构,其特征在于,所述至少一个芯片的下表面通过芯片下侧焊片焊接在所述下导电基板上,所述至少一个芯片的上表面通过芯片上侧焊片焊接在所述金属垫块上。3.根据权利要求1或2所述的子模块结构,其特征在于,所述至少一个金属垫块之间通过旁路母排连接。4.根据权利要求3所述的子模块结构,其特征在于,所述旁路母排通过弹簧针引出,且所述弹簧针设置在所述塑料侧框的侧边上。5.根据权利要求4所述的子模块结构,其特征在于,所述弹簧针的材料为铜或铍铜,在其与所述旁路母排压接的触点上设置有镀金层。6.根据权利要求2所述的子模块结构,其特征在于,所述金属垫块的热膨胀系数与所述至少一个芯片的热膨胀系数相匹配,其材料为Mo或者Mo
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Cu合金;和/或,所述芯片上侧焊片和所述芯片下侧焊片的材料为Sn
‑
Pb合金或Sn
‑
Sb合金;和/或,所述侧框绝缘胶层的材料为硅胶或硅橡胶;所述塑料侧框的材料为聚酯,耐温要求为150
°
以上。7.根据权利要求1或2所述的子模块结构,其特征在于,所述金属垫块的个数与所述至少一个芯片的个数相同,所述至少一个芯片包括IGBT芯片和FRD芯片;所述IGBT的上表面为发射极,所述FRD芯片的上表面为阳极。8.根据权利要求7所述的子模块结构,其特征在于,所述IGBT芯片相互并联,所述FRD芯片与所述IGBT芯片形成反并联,且...
【专利技术属性】
技术研发人员:李星峰,石廷昌,罗海辉,常桂钦,彭勇殿,李寒,张文浩,
申请(专利权)人:株洲中车时代半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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