用于半导体模块的底板和用于制造底板的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体模块的底板(30)，所述底板(30)具有至少一个凸起(34)。所述至少一个凸起(34)与所述底板(30)一件式地构造。所述底板(30)具有均等的第一厚度(d30)或从边缘区域向中心连续地减小的厚度(d30)，所述厚度在所述至少一个凸起(34)中的每个凸起的区域中局部地增加，直至最大第二厚度(d34)为止。(d34)为止。(d34)为止。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体模块的底板和用于制造底板的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于半导体模块的底板以及一种用于制造这种底板的方法。

技术介绍

[0002]功率半导体模块通常具有一个或多个布置在底板上的半导体衬底。具有多个可控半导体器件(例如IGBT)的半导体装置布置在这些衬底中的至少一个衬底上。半导体衬底一般具有电绝缘衬底层(例如陶瓷层)、布置在衬底层的第一侧上的第一导电层(例如金属层)以及布置在衬底层的与第一侧相对置的第二侧上的第二导电层(例如金属层)。可控半导体器件例如布置在第一导电层上。第二导电层通常与底板连接，这就是说，该第二导电层布置在底板与绝缘衬底层之间。
[0003]在半导体衬底、尤其是第二导电层与底板之间通常布置有焊料层。一方面，该焊料层构造用于将半导体衬底与底板机械地连接。另一方面，通过焊料层也导出在半导体装置的运行期间产生的热量。
[0004]为了一方面保证半导体衬底与底板之间稳定的机械连接，另一方面保证优化的散热，可以确保焊料层不低于最小厚度且不超过最大厚度。此外，可以确保焊料层在底板的整个面上具有均等的厚度。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体模块的底板(30)，其中，所述底板(30)具有至少一个凸起(34)；所述至少一个凸起(34)与所述底板(30)一件式地构造，并且所述底板(30)要么具有均等的第一厚度(d30)要么具有从边缘区域向中心连续地减小的厚度(d30)，所述厚度在所述至少一个凸起(34)中的每个凸起的区域中局部地增加，直至最大第二厚度(d34)为止。2.根据权利要求1所述的底板(30)，其中，所述底板(30)还具有：第一层(40)，所述第一层具有第一材料；第二层(42)，所述第二层具有所述第一材料和第二材料，其中，所述第二层(42)从所有侧面完全地包围所述第一层(40)。3.根据权利要求2所述的底板(30)，其中，所述第一层(40)要么基本上具有均等的第三厚度(d40)，要么具有从所述第一层(40)的边缘区域向所述第一层(40)的中心连续地减小的厚度(d40)；所述第一层(40)的厚度在所述至少一个凸起(34)的区域中局部地增加，直至最大第四厚度(d402)为止；以及所述第二层(42)具有第五厚度(d42)。4.根据权利要求2所述的底板(30)，其中，所述第一层(40)具有第三厚度(d40)或从边缘区域向中心连续地减小的厚度(d40)；所述第二层(42)基本上具有第四厚度(d42)；以及所述第二层(42)的厚度在所述至少一个凸起(34)的区域中局部地增加，直至最大第五厚度(d422)为止。5.根据权利要求2至4中任一项所述的底板(30)，其中，所述第一材料具有碳化硅；以及所述第二材料具有铝。6.根据以上权利要求中任一项所述的底板(30)，其中，所述至少一个凸起(34)在其最高部位处具有100μm与500μm之间或150μm与300μm之间的最大厚度，其中，所述凸起(34)的最大厚度由最大第二厚度(d34)和所述底板(30)的紧挨相应凸起(34)的第一厚度(d30)之差得出。7.根据以上权利要求中任一项所述的底板(30)，其中，所述底板(30)具有矩形或方形的基面和至少两个凸起(34)。8.根据权利要求7所述的底板(30)，其中，在所述底板(30)的四个角部中的每个角部的区域中布置凸起(34)。9.根据权利要求8所述的底板(30)，其中，所述凸起(34)中的每个凸起具有拉长的形状或点状地构造。...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：