包括坝图案的半导体封装及其制造方法技术

本申请涉及包括坝图案的半导体封装及其制造方法。公开了一种半导体封装及其制造方法。半导体芯片可以被设置在具有穿过其形成的通气孔的封装基板上，并且可以形成包括连接到上模制部分的下模制部分的模制层。封装基板可以包括具有多个单元区域的基板主体、设置在单元区域中的球形凸台、以及跨越单元区域并延伸到位于单元区域的外部的边缘区域中的第一坝图案和第二坝图案。图案和第二坝图案。图案和第二坝图案。

【技术实现步骤摘要】
包括坝图案的半导体封装及其制造方法


[0001]本公开总体上涉及一种封装技术，并且更具体地，涉及包括坝图案的半导体封装及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体封装可以包括设置在封装基板上的半导体芯片和模制层。模制层可以被模制为保护半导体芯片免受外部应力的层。在模制工艺期间，可能出现模制材料从模具腔体泄漏出的模制溢料现象(mold flash phenomenon)。经泄漏的模制材料可能污染封装基板的元件。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面可以提供一种半导体封装，该半导体封装包括：封装基板，该封装基板具有穿过其形成的通气孔；半导体芯片，所述半导体芯片设置在封装基板上；以及模制层，该模制层包括封装半导体芯片的上模制部分及通过通气孔连接到上模制部分的下模制部分。封装基板可以包括：基板主体，该基板主体包括多个单元区域，所述多个单元区域具有穿过其设置的通气孔；球形凸台，所述球形凸台设置在基板主体的各个单元区域中；以及第一坝图案和第二坝图案，所述第一坝图案和所述第二坝图案与基板主体的球形凸台间隔开，跨越单元区域延伸，并且进一步延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：封装基板，所述封装基板具有穿过所述封装基板形成的通气孔；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述封装基板上；以及模制层，所述模制层包括封装所述半导体芯片的上模制部分以及通过所述通气孔连接到所述上模制部分的下模制部分，其中，所述封装基板包括：基板主体，所述基板主体包括多个单元区域，所述多个单元区域具有穿过其设置的所述通气孔；球形凸台，所述球形凸台设置在所述基板主体的各个所述单元区域中；以及第一坝图案和第二坝图案，所述第一坝图案和所述第二坝图案与所述基板主体的所述球形凸台间隔开，跨越所述单元区域延伸，并且进一步延伸到所述基板主体的位于所述单元区域的外部的边缘区域中。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述下模制部分跨越所述单元区域延伸，以与所述第一坝图案和所述第二坝图案之间的空间部分地交叠，并且进一步延伸到所述基板主体的位于所述单元区域的外部的所述边缘区域中。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述通气孔被设置在所述封装基板的所述第一坝图案和所述第二坝图案之间。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一坝图案和所述第二坝图案包括在彼此面对的同时延伸的线性图案。5.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括第三坝图案，所述第三坝图案连接所述第一坝图案和所述第二坝图案的边缘部分。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述第三坝图案被设置在所述基板主体的所述边缘区域中。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述封装基板还包括介电层，所述介电层延伸以覆盖所述基板主体，所述第一坝图案和所述第二坝图案被覆盖并且所述球形凸台的一些部分通过所述介电层敞开。8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述介电层包括阻焊剂材料。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一坝图案和所述第二坝图案以及所述球形凸台包括相同的金属材料。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一坝图案和所述第二坝图案以及所述球形凸台包括铜Cu。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板主体包括在彼此的相对侧上的第一表面和第二表面，其中，所述半导体芯片被设置在所述第一表面上，并且其中，所述球形凸台以及所述第一坝图案和所述第二坝图案被设置在所述第二表面下方。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板主体的所述边缘区域包括在所述多个单元区域当中的最外部的单元区域与所述基板主体的边缘之间的部分。13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述通气孔与所述半导体芯片交叠。
14.一种半导体封装，该半导体封装包括：封装基板，所述封装基板具有穿过所述封装基板形成的通气孔；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述封装基板上；以及模制层，所述模制层包括封装所述半导体芯片的上模制部分以及通过所述通气孔连接到所述上模制部分的下模制部分，其中，所述封装基板包括：基板主体，所述基板主体包括在彼此的相对侧上的第一边缘和第二边缘以及在所述第一边缘与所述第二边缘之间的表面；球形凸台，所述球形凸台设置在所述基板主体的所述表面上；以及第一坝图案和第二坝图案，所述第一坝图案和所述第二坝图案与所述球形凸台间隔开，跨越所述表面延伸到所述第一边缘和所述第二边缘。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中，所述下模制部分跨越所述基板主体的所述表面延伸到所述第一边缘和所述第二边缘，并且跨越单元区域以与所述第一坝图案和所述第二坝图案之间的空间部分地交叠。16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述通气孔被设置在所述封装基板的所述第一坝图案和所述第二坝图案之间。17.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述第一坝图案和所述第二坝图案包括延伸以彼此面对的线性图案。18.根据权利要求15所述的半导体封装，其中，所述封装基板还包括介电层，所述介电层延伸以覆盖所述基板主体的所述表面，所述第一坝图案和所述第二坝图案被...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴信映，金东贤，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：