半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:32724704 阅读:21 留言:0更新日期:2022-03-20 08:29
目的在于提供能够限定基座板与壳体之间的接合所使用的粘接剂的润湿扩展方向的技术。半导体装置具有基座板(2)和壳体(1)。壳体(1)经由粘接剂(5)而与基座板(2)的周缘部接合。在基座板(2)的周缘部形成有涂敷粘接剂(5)的涂敷位置即凹部(2a)和从凹部(2a)朝向外周侧而下降的斜面(2b)或者从凹部(2a)朝向内周侧而下降的斜面(2d)。下降的斜面(2d)。下降的斜面(2d)。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造工序中,基座板与壳体之间的接合使用粘接剂。存在具有在基座板与壳体之间的接合时,涂敷的粘接剂不滴落这样的构造的半导体装置。
[0003]例如,在专利文献1中公开了如下构造,即,盖体与绝缘基体之间的粘接面是斜面,对多余的粘接剂进行收容的凹部被设置于绝缘基体的凹部的内侧面,以使得过剩地涂敷的粘接剂不滴落。另外,在专利文献1中,作为粘接剂而举出了焊料、钎料、玻璃以及有机树脂粘接剂的例子。
[0004]专利文献1:日本特开2013

26506号公报
[0005]但是,在专利文献1所记载的技术中,由于未规定粘接剂的涂敷位置,因此粘接剂被涂敷于盖体与绝缘基体之间的粘接面整体。因此,当在封装树脂的硬化时粘接剂升温而使粘接剂的粘度下降的情况下,粘接剂沿斜面而向上侧和下侧润湿扩展。其结果,存在无法限定粘接剂的润湿扩展方向的问题。

技术实现思路

[0006]因此,本专利技术的目的在于提供能够限定基座板与壳体之间的接合所使用的粘接剂的润湿扩展方向的技术。
[0007]本专利技术涉及的半导体装置具有:基座板;以及壳体,其经由粘接剂而与所述基座板的周缘部接合,在所述基座板的周缘部形成有涂敷所述粘接剂的涂敷位置即凹部和从所述凹部朝向外周侧或者内周侧而下降的斜面。
[0008]专利技术的效果
[0009]根据本专利技术,当在封装树脂的硬化时粘接剂升温而使粘接剂的粘度下降的情况下,粘接剂从凹部沿斜面而润湿扩展,因此,能够限定粘接剂的润湿扩展方向。
附图说明
[0010]图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。
[0011]图2是实施方式1涉及的半导体装置所具有的基座板与壳体之间的接合部位的放大剖视图。
[0012]图3是实施方式1的变形例涉及的半导体装置的剖视图。
[0013]图4是实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。
[0014]图5是实施方式2的变形例涉及的半导体装置的剖视图。
具体实施方式
[0015]<实施方式1>
[0016]下面,使用附图对实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。图2是实施方式1涉及的半导体装置所具有的基座板2与壳体1之间的接合部位的放大剖视图。
[0017]如图1所示,具有基座板2、壳体1、金属图案3和半导体元件4。基座板2在俯视观察时为矩形,由具有绝缘性的树脂构成。
[0018]金属图案3形成于基座板2的中央部。即,金属图案3未形成于基座板2的周缘部。金属图案3例如由铝、银或者铜构成。
[0019]在金属图案3的上表面通过焊接而固定有半导体元件4。此外,在图1中示出了1个半导体元件4,但不限定于1个,也可以是大于或等于2个。
[0020]半导体元件4例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片或者续流二极管(Free Wheel diode)芯片。
[0021]壳体1在俯视观察时为矩形框状,例如由树脂构成。在壳体1的下端部,遍及整周而形成有凹部1a。凹部1a形成为能够与基座板2的周缘部嵌合的形状。此外,在壳体1的内部填充有未图示的封装树脂。
[0022]接下来,使用图1和图2,对基座板2与壳体1之间的接合进行说明。如图1和图2所示,壳体1经由粘接剂5而与基座板2的周缘部接合。在基座板2的周缘部形成有凹部2a、斜面2b和槽2c。
[0023]凹部2a是向下方凹陷的形状。凹部2a在基座板2的上表面,具体地说,在基座板2的周缘部的内周侧遍及整周而形成。凹部2a是涂敷粘接剂5的涂敷位置。斜面2b以从凹部2a朝向外周侧而下降的方式遍及整周而形成。从凹部2a溢出的粘接剂5沿斜面2b而向下侧润湿扩展。槽2c是向下方凹陷的形状,在斜面2b的下端部遍及整周而形成。沿斜面2b而向下侧润湿扩展的粘接剂5被收容于槽2c。
[0024]这里,为了使粘接剂5容易沿斜面2b润湿扩展,优选斜面2b的倾斜角α大于或等于45
°
且小于或等于60
°
。另外,粘接剂5例如是热固性的环氧树脂类粘接剂。优选在粘接剂5的温度为25℃的情况下,粘接剂5的粘度大于或等于25Pa
·
s,在粘接剂5的温度大于或等于50℃的情况下,粘接剂5的粘度小于或等于10Pa
·
s。
[0025]在半导体装置的制造工序中,当在金属图案3的上表面固定了半导体元件4之后,将粘接剂5的温度设为25℃,向基座板2的凹部2a涂敷粘接剂5,壳体1经由粘接剂5而与基座板2的周缘部接合。此时,被涂敷于凹部2a的粘接剂5变得难以润湿扩展。接下来,在向壳体1内填充了封装树脂之后,在封装树脂的硬化时,如果粘接剂5被升温至大于或等于50℃,则粘接剂5的粘度下降而变得容易润湿扩展。由此,能够使粘接剂5从凹部2a沿斜面2b而向下侧润湿扩展。
[0026]此时,优选基座板2的凹部2a和斜面2b通过冲压加工或者切削加工而形成。
[0027]接下来,使用图3,对实施方式1的变形例进行说明。图3是实施方式1的变形例涉及的半导体装置的剖视图。
[0028]如图3所示,基座板2的周缘部与基座板2的中央部相比,凸出至上方。在基座板2的周缘部形成有凹部2a、斜面2d和槽2e。凹部2a在基座板2的周缘部的外周侧遍及整周而形成。凹部2a的外周侧即基座板2的端部与凹部2a相比,凸出至上方,被涂敷于凹部2a的粘接剂5没有从凹部2a超过基座板2的端部而向外周侧润湿扩展。
[0029]斜面2d以从凹部2a朝向内周侧而下降的方式遍及整周而形成。从凹部2a溢出的粘接剂5沿斜面2d而向下侧润湿扩展。槽2e是向下方凹陷的形状,在斜面2d的下端部遍及整周而形成。沿斜面2d而向下侧润湿扩展的粘接剂5被收容于槽2e。此外,为了使粘接剂5容易沿斜面2d润湿扩展,优选斜面2d的倾斜角α大于或等于45
°
且小于或等于60
°

[0030]如上所述,实施方式1以及实施方式1的变形例涉及的半导体装置具有基座板2和经由粘接剂5而与基座板2的周缘部接合的壳体1,在基座板2的周缘部形成有涂敷粘接剂5的涂敷位置即凹部2a和从凹部2a朝向外周侧或者内周侧而下降的斜面2b、2d。
[0031]因此,当在封装树脂的硬化时粘接剂5升温而使粘接剂5的粘度下降的情况下,粘接剂5从凹部2a沿斜面2b、2d而润湿扩展,因此,能够限定粘接剂5的润湿扩展方向。另外,能够通过形成凹部2a而规定粘接剂5的涂敷位置。
[0032]另外,凹部2a设置于基座板2的上表面,斜面2b以从凹部2a朝向外周侧而下降的方式形成。因此,当在封装树脂的硬化时粘接剂5升温而使粘接剂5的粘度下降的情况下,能够将粘接剂5的润湿扩展方向限定为从凹部2a朝向外周侧。
[0033]另本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,其具有:基座板;以及壳体,其经由粘接剂而与所述基座板的周缘部接合,在所述基座板的周缘部形成有涂敷所述粘接剂的涂敷位置即凹部和从所述凹部朝向外周侧或者内周侧而下降的斜面。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述凹部设置于所述基座板的上表面,所述斜面以从所述凹部朝向外周侧而下降的方式形成。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述基座板的周缘部与所述基座板的中央部相比,凸出至上方,所述斜面以从所述凹部朝向内周侧而下降的方式形成。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述基座板的周缘部与所述基座板的中央部相比,凸出至上方,所述斜面包含以从所述凹部朝向外周侧而下降的方式形成的第1斜面和以从所述凹部朝向内周侧而下降的方式形成的第2斜面。5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,在所述壳体的与所述凹部相对的部分设置有被所述凹部收容的凸起。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其中,所述斜面的倾斜...

【专利技术属性】
技术研发人员:原田正刚
申请(专利权)人:三菱电机株式会社
类型:发明
国别省市:

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