化合物及包含其的有机发光器件制造技术

本说明书提供由化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件。含其的有机发光器件。含其的有机发光器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物及包含其的有机发光器件


[0001]本申请主张于2020年5月29日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10
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2020
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0065306号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
[0002]本说明书涉及化合物及包含其的有机发光器件。

技术介绍

[0003]通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
[0004]持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
[0005][现有技术文献][0006](专利文献1)KR10
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2016
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0026661A
[0007](非专利文献1)Org.Biomol Chem.,2018,16,6703
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6707
[0008](非专利文献2)Organic Electronics 57(2018)359
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366

技术实现思路

[0009]技术课题
[0010]本说明书中提供一种化合物及包含其的有机发光器件。
[0011]课题的解决方法
[0012]本说明书的一实施方式提供由下述化学式1表示的化合物。
[0013][化学式1][0014][0015]在上述化学式1中，
[0016]X1和X2彼此相同或不同，各自独立地为O、S或NRc，
[0017]Ar1为取代或未取代的芳基，
[0018]L为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基，
[0019]Rc和R1至R10彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基硫基(Alkyl thioxy)、取代或未取代的芳基硫基(Aryl thioxy)、取代或未取代的烷基磺酰基(Alkyl sulfoxy)、取代或未取代的芳基磺酰基(Aryl sulfoxy)、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基膦基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基，
[0020]n9为0至3的整数，n9为2以上时，2个以上的R9彼此相同或不同，
[0021]n10为0至4的整数，n10为2以上时，2个以上的R10彼此相同或不同。
[0022]另外，本说明书的一实施方式提供一种有机发光器件，其中，包括：阳极、阴极、以及设置在上述阳极与上述阴极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。
[0023]专利技术效果
[0024]本说明书中记载的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料。根据至少一个实施方式的化合物在有机发光器件中可以实现效率的提高、低驱动电压和/或寿命特性的提高。特别是，本说明书中记载的化合物可以用作空穴注入、空穴传输、空穴注入和空穴传输、电子阻挡、发光、空穴阻挡、电子传输、或电子注入的材料。此外，与现有的有机发光器件相比，具有低驱动电压、高效率和/或长寿命的效果。
附图说明
[0025]图1图示了依次层叠有基板1、阳极2、发光层5和阴极8的有机发光器件的例子。
[0026]图2图示了依次层叠有基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8的有机发光器件的例子。
[0027][符号说明][0028]1：基板
[0029]2：阳极
[0030]3：空穴注入层
[0031]4：空穴传输层
[0032]5：发光层
[0033]6：电子传输层
[0034]7：电子注入层
[0035]8：阴极
具体实施方式
[0036]下面，对本说明书更详细地进行说明。
[0037]在本说明书中，当指出某一部分“包含/包括”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包含其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
[0038]在本说明书中，当指出某一构件位于另一个构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件相接的情况，还包括两构件之间存在其它构件的情况。
[0039]在本说明书中，化合物的氘取代率可以通过以下方法来掌握：使用TLC/MS(薄层色谱法/质谱法(Thin
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Layer Chromatography/Mass Spectrometry))并以反应结束时的分子量所形成的分布的最大(max.)值为基准计算取代率的方法；或者通过利用了NMR的定量分析方法，添加DMF(二甲基甲酰胺)作为内标(Internal standard)，利用1H NMR上的积分(integration)比率，由总峰(peak)的积分量来计算D
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取代率的方法。
[0040]在本说明书中，取代基的例示在下文中进行说明，但并不限定于此。
[0041]在本说明书中，或虚线表示与其它取代基或结合部结合的部位。
[0042]上述“取代”这一用语是指结合在化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基，被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定，当取代2个以上时，2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
[0043]在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘、卤素基团、腈基(
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CN)、硝基、羟基、氨基、甲硅烷基、硼基、烷氧基、芳氧基、烷基、环烷基、芳基和杂环基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以解释为2个苯基连接而成的取代基。
[0044]在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘、烷基、芳基和杂环基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。
[0045]在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘和芳基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。
[0046]在本说明书中，被氘取代N％是指本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】在所述化学式2
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1和2
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2中，X1、X2、Ar1、L、R1至R10、n9和n10的定义与所述化学式1中的定义相同。4.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式101至103、201至203和301至303中的任一个表示：和301至303中的任一个表示：在所述化学式101至103、201至203和301至303中，Ar1、L、Rc、R1至R10、n9和n10的定义与所述化学式1中的定义相同，Rc'为氢、氘、腈基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基硫基、取代或未取代的芳基硫基、取代或未取代的烷基磺酰基、取代或未取代的芳基磺酰基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基膦基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基。
在所述化学式3
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1至3
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3中，X1、X2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔地宁，洪玩杓，李禹哲，金埙埈，河宰承，金周湖，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：