晶圆支撑座及工艺腔体制造技术

本发明专利技术揭露一种晶圆支撑座，包含：一支撑盘，具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部；一轴，具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部，且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接，使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部；及一绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容。此外，本发明专利技术还揭示了一种工艺腔体。本发明专利技术还揭示了一种工艺腔体。本发明专利技术还揭示了一种工艺腔体。

【技术实现步骤摘要】
晶圆支撑座及工艺腔体


[0001]本专利技术关于一种半导体装置，特别是一种晶圆支撑座与工艺腔体。

技术介绍

[0002]在半导体制程中，等离子处理为沉积或蚀刻常用的手段。等离子处理相较一般热处理有更多的优势，例如，等离子增强化学气相沉积(PECVD)允许沉积可以在相对较低的温度中实现以及获得更高的沉积率。PECVD的当前挑战在于等离子体在腔体中的均匀性，以及沉积薄膜在晶圆中心和边缘厚度的均匀性。
[0003]已知有多种习知技术提出改善等离子体于腔内分部的手段。美国专利文献公开号US20200010957A1揭露一种从电极回路着手的改良手段，其包含将晶圆支撑盘中的下电极电连接至射频调整电路，藉此调整下电极回路的接地阻抗，其中所述射频调整电路包含传感器、可变电容及电感等电子组件。如此配置的缺点在于需要于腔体额外连接所述射频调整电路(通过可变电容改变阻抗)，且仅适合以陶瓷制造的晶圆支撑盘。由于射频调整电路外接的缘故，较长的电路回路相对累积一定的感性阻抗，影响射频传输。再者，如此配置可能因回路组件的些微差异而难以复制于不同的站或腔体，但同时又要求这些站和腔体执行相同工艺。
[0004]因此，有必要发展一种针对下电极的阻抗调节手段，特别是一种容易复制于多个腔体或站的下电极的阻抗调节手段，确保工艺一致性。

技术实现思路

[0005]本专利技术目的在于提供一种晶圆支撑座及工艺腔体以对回路阻抗进行调节。
[0006]本专利技术提供的晶圆支撑座包括：一支撑盘，具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部；一轴，具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部，且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接，使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部；及一绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容。
[0007]本专利技术提供的所述晶圆支撑座的有益效果在于：通过所述绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容，以对回路阻抗进行调节。
[0008]进一步地，所述第一连接部具有一朝下接触面，所述第二连接部具有一朝上接触面，且当所述支撑盘与所述轴连接时，所述绝缘介质片被夹持于所述朝下接触面和所述朝上接触面之间。
[0009]进一步地，所述绝缘介质片以一第一方位或一第二方位被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值，所述第二方位使所述电容具有一第二电容值，所述第一电容值不同于所述第二电容值。
[0010]进一步地，所述第一方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重
迭面积，不同于，所述第二方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积。
[0011]进一步地，所述绝缘介质片的形状为圆形。
[0012]进一步地，所述绝缘介质片的形状为椭圆形。其有益效果在于通过调整不同形状薄片，提高回路阻抗一致性，也容易保证站与站，腔与腔之间的回路阻抗和工艺的一致性。
[0013]进一步地，所述晶圆支撑座还包含与所述绝缘介质片推迭在一起的另一绝缘介质片，且堆栈的所述二绝缘介质片被夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间以构成一电容，所述二绝缘介质片的形状均为一放射状，所述二绝缘介质片以一第一方位迭加或以一第二方位迭加，其中以所述第一方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积不同于以所述第二方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积，藉此以所述第一方位迭加而成的电容值不同于以所述第二方位迭加而成的电容值。
[0014]进一步地，所述第一连接部具有一第一对螺纹孔，所述第二连接部具有一第二对螺纹孔，所述绝缘介质片具有一第一对孔和一第二对孔，一对螺丝经由所述第一对螺纹孔、所述第二对螺纹孔及所述第一对孔或所述第二对孔将所述第一连接部和所述第二连接部锁固连接并使所述绝缘介质片夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间。
[0015]进一步地，当所述对螺丝通过所述第一对孔时，代表所述绝缘介质片相较于所述第一连接部和所述第二连接部位于一第一方位；当所述对螺丝通过所述第二对孔时，代表所述绝缘介质片相较于所述第一连接部和所述第二连接部位于一第二方位，其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值，所述第二方位使所述电容具有一第二电容值，所述第一电容值不同于所述第二电容值。
[0016]进一步地，所述电容具有一电容值，其介于1nF
‑
3nF。
[0017]进一步地，所述绝缘介质片的厚度为0.1mm
‑
1.0mm。其有益效果在于：通过调整不同厚度的薄片，提高回路阻抗一致性，也容易保证站与站，腔与腔之间的回路阻抗和工艺的一致性。
[0018]进一步地，所述绝缘介质片具有一横截面积，其介于5000mm2
‑
10000mm2。
[0019]进一步地，所述绝缘介质片选自陶瓷及聚四氟乙烯之其中一者。
[0020]此外，本专利技术提供的一种工艺腔体，包含：一晶圆支撑座，具有一电极及一轴；及一腔体底部，具有用于容置轴的一开口及自所述开口垂直延伸的一环形壁，其特征在于：所述环形壁埋设有一绝缘介质片，且所述绝缘介质片环绕所述轴，藉此使所述环形壁与所述绝缘介质片构成所述下电极回路的一电容。
[0021]本专利技术提供的所述工艺腔体的有益效果在于：所述环形壁埋设有一绝缘介质片，且所述绝缘介质片环绕所述轴，藉此使所述环形壁与所述绝缘介质片构成所述下电极回路的一电容，以调节所述下电极回路的阻抗。
[0022]进一步地，所述环形壁的底部连接一波纹管，使所述绝缘介质片位于所述腔体底部及所述波纹管之间，以进一步调节下电极回路的阻抗。
附图说明
[0023]照下列图式与说明，可更进一步理解本专利技术。非限制性与非穷举性实例参照下列图式而描述。在图式中的构件并非必须为实际尺寸；重点在于说明结构及原理。
[0024]图1为本专利技术晶圆支撑座的剖面示意图。
[0025]图2示意本专利技术晶圆支撑座的电容及其分解。
[0026]图3为所述电容的另一实施例。
[0027]图4A至图4C示意绝缘介质片与接触面的各种相对关系以决定所述电容的电容值。
[0028]图5A示意两个放射状的绝缘介质片，图5B及图5C分别示意图5A中两个放射状的绝缘介质片的两种相对关系以决定所述电容的电容值。
[0029]图6示意另一替代实施例，其中绝缘介质片被配置于腔体底部。
具体实施方式
[0030]底下将参考图式更完整说明本专利技术，并且藉由例示显示特定范例具体实施例。不过，本主张主题可具体实施于许多不同形式，因此所涵盖或申请主张主题的建构并不受限于本说明书所揭示的任何范例具体实施例；范例具体实施例仅为例示。同样，本专利技术在于提供合理宽阔的范畴给所申请或涵盖之主张主题。
[0031]本说明书内使用的词汇「在一实施例」并不必要参照相同具体实施例，且本说明书内使用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆支撑座，其特征在于，包括：一支撑盘，具有一电极及位于所述支撑盘底部的一第一连接部；一轴，具有一顶端及位于所述顶端的一第二连接部，且所述第二连接部与所述第一连接部可拆卸地连接，使所述轴的顶端可拆卸地连接至所述支撑盘的底部；及一绝缘介质片，被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，藉此构成所述电极回路中的一电容。2.根据权利要求1所述晶圆支撑座，其特征在于，所述第一连接部具有一朝下接触面，所述第二连接部具有一朝上接触面，且当所述支撑盘与所述轴连接时，所述绝缘介质片被夹持于所述朝下接触面和所述朝上接触面之间。3.根据权利要求1或2所述晶圆支撑座，其特征在于，所述绝缘介质片以一第一方位或一第二方位被夹持于所述支撑盘的第一连接部和所述轴的第二连接部之间，其中所述第一方位使所述电容具有一第一电容值，所述第二方位使所述电容具有一第二电容值，所述第一电容值不同于所述第二电容值。4.根据权利要求3所述晶圆支撑座，其特征在于，所述第一方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积，不同于，所述第二方位的绝缘介质片与所述朝下接触面和所述朝上接触面的重迭面积。5.根据权利要求1所述晶圆支撑座，其特征在于，所述绝缘介质片的形状为圆形。6.根据权利要求3所述晶圆支撑座，其特征在于，所述绝缘介质片的形状为椭圆形。7.根据权利要求1所述晶圆支撑座，更包括与所述绝缘介质片推迭在一起的另一绝缘介质片，且堆栈的所述二绝缘介质片被夹持于所述第一连接部和所述第二连接部之间以构成一电容，所述二绝缘介质片的形状均为一放射状，所述二绝缘介质片以一第一方位彼此迭加或以一第二方位彼此迭加，其特征在于，以所述第一方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积不同于以所述第二方位迭加的两个绝缘介质片的重迭面积，藉此以所述第一方位迭加而成的电容值不同于以所述第二方位迭加而成的电容值。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：张赛谦，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：