电子设备制造技术

本公开的实施例涉及电子设备。本公开涉及一种电子设备，包括：一对第一晶体管，每个第一晶体管通过导电端子耦合到第一节点；一对第二晶体管，每个第二晶体管通过导电端子耦合到第二节点；以及耦合第一节点和第二节点的第三晶体管，第三晶体管的控制端子耦合到运算放大器的输出，运算放大器在其输入处耦合到第一节点和施加参考电压的节点。利用本公开的实施例可以有利地提高运算放大器的精度。以有利地提高运算放大器的精度。以有利地提高运算放大器的精度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备


[0001]本公开总体上涉及电子设备，并且更具体地，涉及运算放大器。

技术介绍

[0002]运算放大器是差分放大器。换句话说，运算放大器是一种放大在其输入处存在的电势差的电子放大器。
[0003]最初，运算放大器被设计成在模拟设备中执行数学运算；它们使基本的数学运算，如加法、减法、积分、求导和其他操作能够很容易地实现。
[0004]目前，运算放大器被用于许多其他应用，如电机控制、电压调节、电流源或振荡器。

技术实现思路

[0005]本公开的目的是提供电子设备，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0006]本公开的一方面提供了一种电子设备，包括：一对第一晶体管，每个第一晶体管通过第一晶体管的导电端子耦合到第一节点；一对第二晶体管，每个第二晶体管通过第二晶体管的导电端子耦合到第二节点；以及第三晶体管，耦合第一节点和第二节点，第三晶体管的控制端子被耦合到第一运算放大器的输出，第一运算放大器在其输入处被耦合到第一节点和施加参考电压的节点。
[0007]根据一个或多个实施例，其中设备是运算放大器设备。
[0008]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管通过电流镜耦合到第二节点。
[0009]根据一个或多个实施例，其中设备包括反相输入、非反相输入和两个电源输入。
[0010]根据一个或多个实施例，其中第一晶体管中的一个第一晶体管的控制端子以及第二晶体管中的一个第二晶体管的控制端子耦合到非反相输入，并且第一晶体管中的另一第一晶体管的控制端子以及第二晶体管中的另一第二晶体管的控制端子耦合到反相输入。
[0011]根据一个或多个实施例，其中第一节点通过电流源耦合到第一电源输入。
[0012]根据一个或多个实施例，其中第二节点通过第四晶体管的导电端子耦合到第二电源输入。
[0013]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管的导电端子耦合到第一节点，并且第三晶体管的导电端子耦合到第五晶体管的第一导电端子，第五晶体管的第二导电端子被耦合到第二电源输入，第五晶体管的控制端子被耦合到第五晶体管的第一导电端子以及第四晶体管的控制端子。
[0014]根据一个或多个实施例，其中布置在设备中的第一运算放大器的第一非反相输入通过电阻器耦合到第一电源输入，并且通过电流源耦合到第二电源输入。
[0015]根据一个或多个实施例，其中第一晶体管通过其源极耦合到第一节点，并且第二晶体管通过其源极耦合到第二节点。
[0016]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管的表面积至少比第一晶体管以及第二晶体管的表面积的五分之一更小。
[0017]本公开的另一方面提供了一种电子设备，包括：一对第一晶体管，每个第一晶体管通过第一晶体管的导电端子耦合到第一节点，其中第一节点通过第一电流源耦合到第一电源输入；一对第二晶体管，每个第二晶体管通过第二晶体管的导电端子耦合到第二节点，其中第二节点通过第四晶体管的导电端子耦合到第二电源输入；以及第三晶体管，耦合第一节点和第二节点，其中第三晶体管的控制端子耦合到第一运算放大器的输出，并且其中第一运算放大器在其输入处耦合到第一节点以及施加参考电压的节点。
[0018]根据一个或多个实施例，其中设备是运算放大器设备。
[0019]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管通过电流镜耦合到第二节点。
[0020]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管的导电端子耦合到第一节点，并且第三晶体管的导电端子耦合到第五晶体管的第一导电端子，第五晶体管的第二导电端子被耦合到第二电源输入，第五晶体管的控制端子被耦合到第五晶体管的第一导电端子以及第四晶体管的控制端子。
[0021]根据一个或多个实施例，其中设备包括反相输入、非反相输入和两个电源输入。
[0022]根据一个或多个实施例，其中第一晶体管中的一个第一晶体管的控制端子以及第二晶体管中的一个第二晶体管的控制端子耦合到非反相输入，并且第一晶体管中的另一第一晶体管的控制端子以及第二晶体管中的另一第二晶体管的控制端子耦合到反相输入。
[0023]根据一个或多个实施例，其中布置在设备中的第一运算放大器的第一非反相输入通过电阻器耦合到第一电源输入，并且通过第二电流源耦合到第二电源输入。
[0024]根据一个或多个实施例，其中第一晶体管通过其源极耦合到第一节点，并且第二晶体管通过其源极耦合到第二节点。
[0025]根据一个或多个实施例，其中第三晶体管的表面积至少比第一晶体管以及第二晶体管的表面积的五分之一更小。
[0026]利用本公开的实施例可以有利地提高运算放大器的精度。
附图说明
[0027]上述特征和优点以及其他将在以下参照附图以说明而不是限制的方式给出的特定实施例的描述中详细描述，其中：
[0028]图1示意性地示出了运算放大器；
[0029]图2更详细地示出了诸如图1中的运算放大器的实施例；以及
[0030]图3示出了图2的实施例中的电流变化的示例。
具体实施方式
[0031]在不同的图中，相同的特征已由相同的附图标记指定。特别地，在各种实施例中公共的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记并且可以设置相同的结构、尺寸和材料特性。
[0032]为了清楚起见，仅详细说明和描述了对理解本文所描述的实施例有用的步骤和元件。
[0033]除非另有说明，否则当提到连接在一起的两个元件时，这意味着没有除导体以外的任何中间元件的直接连接，而当提到耦合在一起的两个元件时，这意味着这两个元件可
以连接，或者它们可以通过一个或多个其他元件耦合。
[0034]在以下公开中，除非另有说明，否则当引用绝对位置限定符，如术语“前”、“后”、“上”、“下”、“左”、“右”等，或相对位置限定符，如术语“之上”、“之下”、“较高”、“较低”等，或方位限定符，如“水平”、“垂直”等时，引用图中所示的方位。
[0035]除非另有说明，“约”、“大约”、“基本上”和“按顺序”表示10％以内，优选是5％以内。
[0036]图1示意性地示出了运算放大器10。
[0037]放大器10包括四个输入102、104、106、108和一个输出110。
[0038]输入102是非反相输入(+)。输入102接收输入信号INP。输入104是反相输入(
‑
)。输入104接收输入信号INN。
[0039]输入106和108是电源输入。在输入106与108之间传递运算放大器10的电源输入。换句话说，节点106耦合、优选地连接到节点或轨道112。节点112耦合、优选地连接到传递电压的电压源，该电压例如是电源电压Vcc。节点108耦合、优选地连接到节点或轨道114。节点114耦合、优选地连接到传递参考电压(GND)(例如接地)的电压源。因此，在节点106与108之间传递电源电压Vcc。
[0040]输出110根据输入信号INN与INP之间的差来传递输出信本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：一对第一晶体管，每个第一晶体管通过所述第一晶体管的导电端子耦合到第一节点；一对第二晶体管，每个第二晶体管通过所述第二晶体管的导电端子耦合到第二节点；以及第三晶体管，耦合所述第一节点和所述第二节点，所述第三晶体管的控制端子被耦合到第一运算放大器的输出，所述第一运算放大器在其输入处被耦合到所述第一节点和施加参考电压的节点。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备是运算放大器设备。3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三晶体管通过电流镜耦合到所述第二节点。4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述设备包括反相输入、非反相输入和两个电源输入。5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第一晶体管中的一个第一晶体管的控制端子以及所述第二晶体管中的一个第二晶体管的控制端子耦合到所述非反相输入，并且所述第一晶体管中的另一第一晶体管的控制端子以及所述第二晶体管中的另一第二晶体管的控制端子耦合到所述反相输入。6.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第一节点通过电流源耦合到第一电源输入。7.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述第二节点通过第四晶体管的导电端子耦合到第二电源输入。8.根据权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述第三晶体管的导电端子耦合到所述第一节点，并且所述第三晶体管的所述导电端子耦合到第五晶体管的第一导电端子，所述第五晶体管的第二导电端子被耦合到所述第二电源输入，所述第五晶体管的控制端子被耦合到所述第五晶体管的所述第一导电端子以及所述第四晶体管的控制端子。9.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，布置在所述设备中的所述第一运算放大器的第一非反相输入通过电阻器耦合到第一电源输入，并且通过电流源耦合到第二电源输入。10.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一晶体管通过其源极耦合到所述第一节点，并且所述第二晶体管通过其源极耦合到所述第二节点。11.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第三晶体管的表面积至少比所述第一晶体管以及所述第二晶体管的表面积的五分之一更小。...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：新型
国别省市：