本实用新型专利技术属于晶硅片技术领域，具体为一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，包括皮带轮和侧板，所述皮带轮外壁缠绕连接有皮带，所述皮带轮顶端左右两侧均安装有侧板，两组所述侧板内部顶部通过铰链安装有遮挡板，所述遮挡板下方滑动设置有底板，所述底板的数量为三组以上，每两组所述底板之间间隙形成有喷砂口，所述喷砂口上方设置有喷砂头，本实用新型专利技术通过遮挡板和底板的拼接形成有喷砂口，使得喷砂头对应喷砂口对晶硅片进行喷砂，其中喷砂口可根据调整，通过滑块在滑轨内的移动调整两组底板之间的距离，有利于保证绒面质量时保护皮带，避免长期喷砂工序加快的皮带损坏进行更换。更换。更换。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置
[0001]本技术涉及晶硅片
，具体为一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置。
技术介绍
[0002]硅属于半导体材料，其自身的导电性并不是很好。然而，可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率；制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片(wafer)。这要从硅锭的生长开始；单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料；多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。
[0003]现有专利(公告号为CN206200770U)及一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，此专利使得硅片在无头皮带表面运动时，始终会有砂喷向硅片表面，不会出现间断，保证喷砂工序的连续进行，当硅片从无头皮带一端移动至另一端时，硅片在无头皮带的惯性带动下进入输送滚轮，硅片在输送滚轮的带动下继续向前移动，当硅片移动至输送滚轮至限位滚轮之间时，气刀发生装置产生地气刀吹向硅片，将硅片两个表面残留的砂子吹掉，最后将吹干净的硅片收集起来即可，利用该喷砂装置可以有效去除的多晶硅片表面金刚线切割损伤层，保证最后得到的硅片绒面均匀、反射率低，绒面质量较好，但是喷砂容易对皮带外壁造成损伤，导致长期喷砂工序中，导致皮带快速老化损坏。
[0004]因此，我们提出一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，有利于保证绒面质量时保护皮带，避免长期喷砂工序加快的皮带损坏进行更换。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，以解决上述
技术介绍
中提出的喷砂容易对皮带外壁造成损伤，导致长期喷砂工序中，导致皮带快速老化损坏的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，包括皮带轮和侧板，所述皮带轮外壁缠绕连接有皮带，所述皮带轮顶端左右两侧均安装有侧板，两组所述侧板内部顶部通过铰链安装有遮挡板，所述遮挡板下方滑动设置有底板，所述底板的数量为三组以上，每两组所述底板之间间隙形成有喷砂口，所述喷砂口上方设置有喷砂头。
[0007]优选的，左右两组所述遮挡板底面均安装有滑轨，两组所述滑轨内滑动连接有滑块，四组所述滑块底端连接有连接绳，四组所述连接绳底端对应底板顶面四角相连接。
[0008]优选的，所述喷砂头顶端连接有喷砂管。
[0009]优选的，所述遮挡板底面顶部和侧板内壁中部均安装有固定块，两组所述固定块均通过轴承连接电动推杆的首尾两端。
[0010]优选的，所述皮带和底板均为水平状。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0012]本技术的多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，通过遮挡板、底板和喷砂口的设置，通过遮挡板和底板的拼接形成有喷砂口，使得喷砂头对应喷砂口对晶硅片进行喷砂，其中喷砂口可根据调整，通过滑块在滑轨内的移动调整两组底板之间的距离，有利于保证绒面质量时保护皮带，避免长期喷砂工序加快的皮带损坏进行更换。
附图说明
[0013]图1为本技术多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置的皮带轮结构示意图；
[0014]图2为本技术多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置的整体结构正视示意图；
[0015]图3为本技术多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置的结构俯视示意图；
[0016]图4为本技术多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置的侧视结构示意图。
[0017]图中：1、皮带轮；2、皮带；3、底板；4、喷砂头；5、滑轨；6、遮挡板；7、电动推杆；8、固定块；9、连接绳；10、侧板；11、滑块；12、喷砂管；13、喷砂口。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]实施例：将晶硅片放置于皮带2上，通过电动推杆7将遮挡板6撑起，并通过调整滑块11在滑轨5上的位置，进而调整两组底板2之间间隙形成喷砂口13，进而喷砂头4的位置和喷砂口13位置相对应，通过皮带轮1转动使得皮带2带动硅晶片移动，当皮带轮1转动圈数达到阈值后暂停，喷砂由喷砂管12经过喷砂头4对硅晶片进行喷砂处理。
[0021]请参阅图1
‑
4，本技术提供一种技术方案：一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，包括皮带轮1和侧板10，所述皮带轮1外壁缠绕连接有皮带2，所述皮带轮1顶端左右两侧均安装有侧板10，两组所述侧板10内部顶部通过铰链安装有遮挡板6，所述遮挡板6下方滑动设置有底板3，所述底板3的数量为三组以上，每两组所述底板3之间间隙形成有喷砂口13，所述喷砂口13上方设置有喷砂头4；其中，将晶硅片放置于皮带2上，通过电动推杆7将遮挡板6撑起，并通过调整滑块11在滑轨5上的位置，进而调整两组底板2之间间隙形成喷砂口13，进而喷砂头4的位置和喷砂口13位置相对应，通过皮带轮1转动使得皮带2带动硅晶片移动，当皮带轮1转动圈数达到阈值后暂停，喷砂由喷砂管12经过喷砂头4对硅晶片进行喷砂处理。
[0022]其中，左右两组所述遮挡板6底面均安装有滑轨5，两组所述滑轨5内滑动连接有滑块11，四组所述滑块11底端连接有连接绳9，四组所述连接绳9底端对应底板3顶面四角相连接；通过底板3受到重力影响下垂，使得四组连接绳9对应底板3顶面四角相连接，使得四组连接绳9顶端对应四组滑块11底部固定。
[0023]其中，所述喷砂头4顶端连接有喷砂管12；喷砂管12顶部安装有泵体，泵体通过喷砂管12增压由喷砂头4进行喷砂工序。
[0024]其中，所述遮挡板6底面顶部和侧板10内壁中部均安装有固定块8，两组所述固定块8均通过轴承连接电动推杆7的首尾两端；通过电动推杆7通过伸长或者收缩可调整遮挡板6展开的角度。
[0025]工作原理：将晶硅片放置于皮带2上，通过电动推杆7将遮挡板6撑起，并通过调整滑块11在滑轨5上的位置，进而调整两组底板2之间间隙形成喷砂口13，进而喷砂头4的位置和喷砂口13位置相对应，通过皮带轮1转动使得皮带2带动硅晶片移动，当皮带轮1转动圈数达到阈值后暂停，喷砂由喷砂管12经过喷砂头4对硅晶片进行喷砂处理。
[0026]以上显示和描述了本技术的基本原理和主要特征和本技术的优点,本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，包括皮带轮(1)和侧板(10)，所述皮带轮(1)外壁缠绕连接有皮带(2)，其特征在于：所述皮带轮(1)顶端左右两侧均安装有侧板(10)，两组所述侧板(10)内部顶部通过铰链安装有遮挡板(6)，所述遮挡板(6)下方滑动设置有底板(3)，所述底板(3)的数量为三组以上，每两组所述底板(3)之间间隙形成有喷砂口(13)，所述喷砂口(13)上方设置有喷砂头(4)。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片表面金刚线切割损伤层的去除装置，其特征在于：左右两组所述遮挡板(6)底面均安装有滑轨(5)，两组所述滑轨(5)内滑动连接有滑块...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹文龙，张力峰，
申请(专利权)人：苏州旭樱新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。