漏泄波双偏振槽型天线制造技术

公开了一种漏泄波双偏振槽型天线，包括：第一和第二馈电回路部分，其具有沿着Ｘ轴在第一介电层每第一周期以及沿着Ｙ轴的第二周期形成具有环路的Ｎ第一带状线和Ｎ第二带状线，其中Ｎ第一带状线和Ｎ第二带状线彼此平行并交替，并且对第一周期的各Ｌｓ１和Ｌｓ２的长度满足等式，第一和第二多通道分配器寻形成在第一介电层的一侧和另外一侧上，以连接彼此平行的Ｎ第一带状线和Ｎ第二带状线；以及形成在腔的相对方向中的第一和第二中心端口，每个馈电回路部分连接到第一和第二多通道分配器；以及第一和第二槽部分，所述第一和第二槽部分通过对第二屏蔽层形成模式而形成，其中Ｍ第一和Ｍ第二槽沿着Ｘ轴的方向安置，各第一和第二槽分别形成Ｎ行第一和Ｎ行第二槽阵列，其对每个横过第一和第二带状线，第一槽和第二槽彼此正交。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】漏泄波双偏振槽型天线
本专利技术涉及微带状线供给槽型平面天线，具体而言，涉及能够传输和接收正交偏振波的漏泄波双偏振槽型天线。
技术介绍
超高频带和微波频带种使用的雷达、基站天线以及在卫星通讯和卫星广播中使用的天线必须具有较高的增益。为了具有较高的增益，天线必须具有诸如抛物面天线的指向性。但是，由于抛物面天线为了较高的增益占据了较大的表面区域，基站的通讯设备必须相当大。同样，天线的表面通常镀以包含不生锈的材料的内分泌物阻断器(endocrine disrupter)。结果，抛物面天线不仅在使用时而且在处理时导致环境污染。为了解决这个问题，用于减小基站的通讯设备的尺寸和重量的无线电连接方法，功率控制器和干扰控制器、终端和网络系统技术有了相当的进步。特别是，诸如微带状线天线的平面天线很小、很轻、很薄，这就非常方便使用，其价格相当低。例如微带状线天线的平面天线被用于需要机动性和可操作性的军事通讯。诸如下一代移动通讯系统的高级通讯设备也出于同样的原因使用平面天线。但是，现在商用化的微带状线天线的缺点在于其频带宽度非常窄并具有较小的增益。此外，其只发射/接收单偏振波。这样，为了发射/接收双偏振波，垂直偏振天线和水平偏振天线必须同时使用。-->
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目标是提供一种漏泄波双偏振槽型天线，其具有较宽的频带。本专利技术的另外的目标是提供一种能够增加增益的漏泄波双偏振槽型天线。本专利技术的另外的目标是提供漏泄波双偏振槽型天线，其能够在相同的平面上发射/接收垂直和水平偏振波。为了实现上述目标，提供一种漏泄波双偏振槽型天线，包括：具有XY平面的第一介电层；形成在第一介电层的上部或者下部上的第一和第二馈电回路，包括从介电层的一侧沿着X轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第一环路形成的多个第一带状线，以及从介电层的另外一侧沿着X轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第二环路形成的多个第二带状线，以馈送输入的电磁波；形成在第一和第二馈电回路部分的顶部上或者第一介电层的顶部上的第二介电层；以及形成在第二介电层的上部或者下部上的屏蔽层，将所馈送到第一和/或者第二馈电回路部分的电磁波发射为垂直偏振波和/或者水平偏振波。优选地，第一环路具有正弦波形，第二环路具有圆形。优选地，沿着Y轴的方向形成的两个任意相邻的第一带状线之间的距离以及沿着Y轴的方向所形成的两个任意相邻的第二带状线之间的距离是常数。优选地，沿着X轴的方向形成的两个任意相邻的第一环路之间的距离以及沿着X轴的方向所形成的两个任意相邻的第二环路之间的距离是常数。沿着X轴的方向形成在各第一带状线上的第一环路的形成周期与形成在各第二带状线上的第二环路的形成周期相同。优选地，第一和第二馈电回路部分通过至少一个Y轴的中间端口分开，所述端口具有指定的形状和长度，第一带状线和第二带状线围绕所述端口是对称的或者是非对称的。本专利技术的另外一方面是提供一种漏泄波双偏振槽型天线，包括：具有-->XY平面的第一介电层；形成在第一介电层的上部或者下部上的第一馈电回路部分，包括从介电层的一侧沿着X轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第一环路形成的多个第一带状线，以馈送输入的电磁波；形成在馈电回路部分的上部上的第二介电层；以及形成在第二介电层的上部或者下部上的第一屏蔽层，将馈送到馈电回路部分的电磁波发射为垂直偏振波或者水平偏振波。所述天线还包括形成在第二屏蔽层上的第三介电层；形成在第三介电层的上部或者下部上的第二馈电回路部分，包括：多个第二带状线，其沿着X轴的方向以预定的第一周期在形成在第一介电层上的第一带状线的相对方向上从第三介电层的另外的侧面用指定的形状由第二环路形成的多个第二带状线，以馈送所输入的电磁波；形成在第二馈电回路部分的上部上的第四介电层；以及形成在第四介电层的上部或者下部上的第二屏蔽层，将馈送到第二馈电回路部分的电磁波发射为垂直偏振波或者水平偏振波。附图说明本专利技术的上述目标、特征和优点将在结合附图从下述的详细说明中了解到，其中：图1是根据本专利技术的第一实施例的漏泄波双偏振槽型天线；图2是从沿着图1的线a1-a2所取的漏泄波双偏振槽型天线的横截面图；图3a和图3b是根据图1中的在第一和第二带状线上传播的波形说明主电波的相对辐射方向的示意图；图4是第一槽阵列和图1的第一带状线之间的非均匀耦合的示意图；图5图示描述了根据本专利技术的第一优选实施例的辐射角(θ)和频率(f)之间的关系；图6图示描述了根据本专利技术的第一优选实施例的增益(G)和频率(f)之间的关系；图7视图根据本专利技术的第一优选实施例显示了其中第一槽和第二槽彼-->此交叉偏振的状态；图8是根据本专利技术的第二优选实施例的漏泄波双偏振槽型天线的平面图；图9是根据本专利技术的第三优选实施例的漏泄波双偏振槽型天线的平面图；图10和11分别是说明根据本专利技术的第四优选实施例的漏泄波单/双偏振槽型天线的平面图。具体实施方式现在参照附图对本专利技术的优选实施例进行说明。图1是根据本专利技术的第一优选实施例的漏泄波双偏振槽型天线的平面图，图2是沿着图1中的线a1-a2所取的漏泄波双偏振槽型天线的横截面图。分别参照图1和图2，根据本专利技术的第一优选实施例的漏泄波双偏振槽型天线包括第一屏蔽层11、设置在第一屏蔽层11上的第一间距部分13、设置在第一间距部分13上的第一介电层15、设置在第一介电层15的上部(或者下部)上的第一和第二馈电回路部分17和18，设置在第一和第二馈电回路部分17、18上的第二间距部分31、设置在第二间距部分31上的第二介电层47以及设置在第二介电层47的下部(或者上部)上的第二屏蔽层33。如图1中所示，第二屏蔽层33分别由第一和第二槽部分35、41构成。此处，图2的第一屏蔽层11通常由诸如铜、铝或者银的导电金属所构成，并在XY平面中具有板状形状，并且优选地接地。第一屏蔽层11不仅机械支撑天线元件，也阻止传播的波沿着第一和第二馈电回路部分17、18在诸如Z轴的方向中辐射到外部。一个或者两个圆形或者正方形腔49在第一屏蔽层11的中心部分形成。图2中的腔49、波导设置在安装在第一屏蔽层11的下部上的激励器(未示出)的波导的相对方向中。形成在第二介电层47的下部(或者上部)的第二屏蔽层33以相似的方式是具有诸如铜、铝或者银的导电材料安置或者附着的XY平面的平板。第二屏蔽层33不仅将沿着第一和第二馈电回路部分17、18传播的电磁波发-->射为垂直和水平偏振波来传播，而且阻止所述波沿着+Z轴的方向辐射到外部。简言之，第一和第二屏蔽层11和33防止所述波通过第一和第二馈电回路部分17、18沿着Z轴传播，由此防止所述波在天线的平面的垂直方向中辐射到外部。第一和第二槽部分35、41通过使用照像平版术通过对设置在第二介电层47的下部(或者上部)的第二屏蔽层33形成图案而形成。第一槽部分35具有以矩阵形式的M×N(M、N是自然数)个第一槽39，其垂直于X轴，第二槽部分41也具有以矩阵形式的M×N个第二槽45，其与第一槽39的M×N相正交并平行于X轴。即，第一槽部分35是N行第一槽阵列37，所述阵列由沿着X轴的方向安置的M个第一槽39构成，以及第二槽部分41是N行第二槽阵列43，所述阵列由平行于X轴的方向安置的M个第二槽45构成。如图1中所示，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种漏泄波双偏振槽型天线，包括：具有ＸＹ平面的第一介电层；形成在第一介电层的上部或者下部上的第一和第二馈电回路，包括从介电层的一侧沿着Ｘ轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第一环路形成的多个第一带状线，以及从介电层的另外一 侧沿着Ｘ轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第二环路形成的多个第二带状线，以传播电磁波；形成在第一和第二馈电回路部分的顶部上或者第一介电层的顶部上的第二介电层；以及形成在第二介电层的上部或者下部上的屏蔽层，将所输入到第一和 ／或者第二馈电回路部分的电磁波发射为垂直偏振波和／或者水平偏振波。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2002-4-19 10-2002-00217091.一种漏泄波双偏振槽型天线，包括：具有XY平面的第一介电层；形成在第一介电层的上部或者下部上的第一和第二馈电回路，包括从介电层的一侧沿着X轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第一环路形成的多个第一带状线，以及从介电层的另外一侧沿着X轴的方向以预定的第一周期用指定的形状由第二环路形成的多个第二带状线，以传播电磁波；形成在第一和第二馈电回路部分的顶部上或者第一介电层的顶部上的第二介电层；以及形成在第二介电层的上部或者下部上的屏蔽层，将所输入到第一和/或者第二馈电回路部分的电磁波发射为垂直偏振波和/或者水平偏振波。2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第一环路具有正弦波形，第二环路具有圆形。3.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第一带状线和第二带状线彼此交替形成。4.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，沿着Y轴的方向所形成的两个任意相邻的第一带状线之间的距离以及沿着Y轴的方向所形成的两个任意相邻带状线之间的距离是常数。5.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，第一带状线有横过第一槽的两端的一对第一和第二子线构成。6.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，沿着X轴的方向所形成的两个任意相邻的第一带状线之间的距离以及沿着X轴的方向所形成的两个任意相邻带状线之间的距离是常数。7.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，沿着X轴的方向形成在各第一带状线上的第一环路的预定周期与形成在各第二带状线上的第二环路的预定周期相同。...

【专利技术属性】
技术研发人员：班科夫谢尔盖，
申请(专利权)人：安智浩，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]