本申请公开一种半导体器件、阵列基板及显示装置。其中，半导体器件包括：第一晶体管和第二晶体管。本申请采用将两个晶体管相并联的方式，两个晶体管的栅极接入相同的电压，两个晶体管的漏极电性连接，由于两个晶体管的电子迁移率不同，因此两个晶体管的阈值电压也不同，第一晶体管的阈值电压比第二晶体管的阈值电压高，从而使得半导体器件在大部分工作时间采用电子迁移率低但稳定性优的第二晶体管工作，在高亮度或其他特殊画面需求时将电子迁移率高的第一晶体管打开，提升器件整体开态电流；但由于第一晶体管的打开时间较短，老化更慢，产品信赖性提升，本申请可以同时满足高阶显示产品对晶体管的迁移率和稳定性的双重要求。产品对晶体管的迁移率和稳定性的双重要求。产品对晶体管的迁移率和稳定性的双重要求。
【技术实现步骤摘要】
半导体器件、阵列基板及显示装置
[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种半导体器件、阵列基板及显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示面板向着大尺寸、高分辨率、高频率及自发光显示模式等方向发展，对于控制开关和驱动显示的薄膜晶体管的迁移率和稳定性提出了越来越高的要求。而目前非晶硅和氧化物等常用的薄膜晶体管器件的迁移率与器件稳定性往往存在无法调和的关系，即无法同时大幅度提高其迁移率和稳定性。比如非晶硅迁移率低，开态电流低，无法满足高阶显示产品的需求，主要体现为高阶显示产品的充电不足或亮度不足。虽然氧化物薄膜晶体管的迁移率高，但稳定性不佳，在长期驱动下器件特性发生偏移，产品信赖性差；但显示产品对薄膜晶体管器件开态电流的需求不是一直存在的，大部分时间都可以接受低电流驱动，仅在部分高亮度画面或其他特殊画面需要高开态电流，但是现有的薄膜晶体管还不能满足显示面板对高开态电流的要求。
技术实现思路
[0003]本申请提供一种半导体器件、阵列基板及显示装置，以满足显示面板对高开态电流的要求。
[0004]本申请提供一种半导体器件，其包括：
[0005]第一晶体管；
[0006]第二晶体管，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极电性连接，
[0007]所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极电性连接；其中，所述第一晶体管的电子迁移率比所述第二晶体管的电子迁移率高。
[0008]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一晶体管的电子迁移率等于或者大于所述第二晶体管的电子迁移率的两倍。
[0009]可选的，在本申请一些实施例中，所述半导体器件包括：
[0010]基板；
[0011]栅极层，设在所述基板上，所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极；
[0012]第一绝缘层，设在所述栅极层上；
[0013]第一半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的导电沟道；
[0014]第二绝缘层，设在所述第一半导体层上；
[0015]第二半导体层，设在所述第二绝缘层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的导电沟道；
[0016]源漏极层，设在所述第二半导体层和所述第二绝缘层上，所述源漏极层包括所述第一晶体管的源极和漏极以及所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的漏极与所
述第二晶体管的漏极相连接；其中，
[0017]所述第一晶体管的源极和漏极均与所述第一晶体管的导电沟道相连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第二晶体管的导电沟道相连接。
[0018]可选的，在本申请一些实施例中，所述位于第一半导体层正上方的第二绝缘层设有连接孔，所述第一晶体管的源极和漏极通过连接孔与所述第一半导体层相连接。
[0019]可选的，在本申请一些实施例中，所述半导体器件包括：
[0020]基板；
[0021]栅极层，设在所述基板上，所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极；
[0022]第一绝缘层，设在所述栅极层上；
[0023]第一半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的导电沟道；
[0024]第二半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的导电沟道，所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘隔开；
[0025]源漏极层，设在所述第一半导体层、第二半导体层和所述第一绝缘层上，所述源漏极层包括所述第一晶体管的源极和漏极以及所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接；其中，
[0026]所述第一晶体管的源极和漏极均与所述第一晶体管的导电沟道相连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第二晶体管的导电沟道相连接。
[0027]可选的，在本申请一些实施例中，所述半导体器件包括：
[0028]基板；
[0029]栅极层，设在所述基板上，所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极；
[0030]第一绝缘层，设在所述栅极层上；
[0031]第一半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的导电沟道；
[0032]第二半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的导电沟道，所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘隔开；
[0033]第二绝缘层，设在所述第一半导体层和第二半导体层上；
[0034]源漏极层，设在所述第二绝缘层上，所述源漏极层包括所述第一晶体管的源极和漏极以及所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接；其中，
[0035]所述第一晶体管的源极和漏极均与所述第一晶体管的导电沟道相连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第二晶体管的导电沟道相连接。
[0036]可选的，在本申请一些实施例中，所述位于第一半导体层正上方的第二绝缘层设有第一连接孔，所述第一晶体管的源极和漏极通过第一连接孔与所述第一半导体层相连接；所述位于第二半导体层正上方的第二绝缘层设有第二连接孔，所述第二晶体管的源极和漏极通过第二连接孔与所述第二半导体层相连接。
[0037]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一半导体层包括刻蚀阻挡型结构的导电
沟道，第一半导体层相对于第二半导体层更接近栅极。
[0038]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一半导体层的材料包括金属氧化物半导体材料，所述第二半导体层的材料包括非晶硅材料。
[0039]可选的，在本申请一些实施例中，所述金属氧化物半导体材料含有In、Ga、Zn中至少一种元素。
[0040]可选的，在本申请一些实施例中，所述非晶硅材料的电子迁移率为0.1平方厘米每伏每秒至1平方厘米每伏每秒。
[0041]可选的，在本申请一些实施例中，所述金属氧化物半导体材料的电子迁移率为4平方厘米每伏每秒至20平方厘米每伏每秒。
[0042]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一半导体层的材料包括电子迁移率为15平方厘米每伏每秒至20平方厘米每伏每秒的金属氧化物半导体材料，所述第二半导体层的材料包括电子迁移率为4平方厘米每伏每秒至10平方厘米每伏每秒的金属氧化物半导体材料。
[0043]可选的，在本申请一些实施例中，所述第二半导体层的材料包括铟镓锌氧化物半导体材料，所述第一半导体层的材料包括铟镓锡氧化物半导体材料。
[0044]可选的，在本申请一些实施例中，所述第一绝缘层和第二绝缘层包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一者。
[0045]相应的，本申请还提供一种阵列基板，其包括上述任一种半导体器件。
[0046]本申请还提供一种显示装置，其包括上述的阵列基板。
[0047]本申请还提供一种半导体器件的制备方法，其包括以下步骤：
[0048]在基板上沉积一层金属层并图形化，作为第一晶体管和第本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一晶体管；第二晶体管，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极电性连接，所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极电性连接；其中，所述第一晶体管的电子迁移率比所述第二晶体管的电子迁移率高。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管的电子迁移率等于或者大于所述第二晶体管的电子迁移率的两倍。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基板；栅极层，设在所述基板上，所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极；第一绝缘层，设在所述栅极层上；第一半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的导电沟道；第二绝缘层，设在所述第一半导体层上；第二半导体层，设在所述第二绝缘层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的导电沟道；源漏极层，设在所述第二半导体层和所述第二绝缘层上，所述源漏极层包括所述第一晶体管的源极和漏极以及所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接；其中，所述第一晶体管的源极和漏极均与所述第一晶体管的导电沟道相连接，所述第二晶体管的源极和漏极均与所述第二晶体管的导电沟道相连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基板；栅极层，设在所述基板上，所述栅极层包括所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极；第一绝缘层，设在所述栅极层上；第一半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第一半导体层包括所述第一晶体管的导电沟道；第二半导体层，设在所述第一绝缘层上，所述第二半导体层包括所述第二晶体管的导电沟道，所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘隔开；源漏极层，设在所述第一半导体层、第二半导体层和所述第一绝缘层上，所述源漏极层包括所述第一晶体管的源极和漏极以及所述第二晶体管的源极和漏极，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极相连接；其中，所述第一晶体管的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。