【技术实现步骤摘要】
微显示LED芯片结构及其制作方法
[0001]本专利技术特别涉及一种微显示LED芯片结构及其制作方法，属于微显示
技术介绍
[0002]具有微型尺寸LED的显示器被称为微型LED(micro
‑
LEDs)。微型LED显示器具有形成单个像素元件的微型LED阵列。像素可以是显示屏上的微小照明区域，可以由许多像素构成图像。换句话说，像素可以是小的离散元素，它们一起构成显示器上的图像。像素通常以二维(2D)矩阵排列，并使用点、正方形、矩形或其他形状表示。像素可以是显示器或数字图像的基本单元，并具有几何坐标。
[0003]微显示领域的显示器件多被用于产生高亮度的微缩显示图像，通过光学系统进行投影从而被观察者感知，投影目标可以是视网膜(虚像)，或者投影幕布(实相),可应用于AR(增强现实)、VR(虚拟现实)、HUD(汽车抬头显示)等各个方面。
[0004]现有技术中的Micro
‑
LED通常的制作流程是：首先形成Micro
‑
LED阵列，然后将Micro
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微显示LED芯片结构，其特征在于包括：第一基板；LED半导体层，设置于所述第一基板上，所述LED半导体层包括呈阵列排布的多个LED单元，相邻的LED单元能够独立的被驱动；其中，所述第一基板包含驱动电路，所述驱动电路具有多个触点，每个触点对应一个LED单元，每个触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域内，且每个触点还和与之对应的LED单元电连接。2.根据权利要求1所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述触点位于与之对应的一LED单元在第一基板上形成的正投影区域的中心区域。3.根据权利要求1所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述LED半导体层包括依次叠层设置在所述第一基板上的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；所述LED半导体层上具有与所述触点位置对应的通孔，所述通孔贯穿所述LED半导体层；钝化层，设置在所述第二掺杂型半导体层上，所述钝化层还覆盖所述通孔的侧壁和底部，所述钝化层具有第一开口、第二开口，所述第一开口暴露所述触点，所述第二开口暴露所述第二掺杂型半导体层；以及电极层，设置在所述钝化层上并覆盖所述第一开口、第二开口，所述电极层自所述第一开口处与所述触点电连接、自所述第二开口处与所述第二掺杂型半导体层电连接。4.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述LED单元具有台阶结构，相邻的两个LED单元经所述台阶结构被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动。5.根据权利要求4所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层上形成所述的台阶结构，且所述台阶结构的高度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度而小于所述LED半导体层的厚度，所述台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。6.根据权利要求4所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：每一LED单元的台阶结构形成于所述第二掺杂型半导体层上，且所述台阶结构的高度等于所述LED半导体层的厚度，所述台阶结构还使相邻LED单元的有源层和第一掺杂型半导体层电性隔离。7.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：相邻的两个LED单元之间设置有隔离材料层，相邻的两个LED单元经所述隔离材料层被电性隔离，使得相邻的LED单元能够独立的被驱动。8.根据权利要求7所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第二掺杂型半导体层内形成所述的隔离材料层，且所述隔离材料层的厚度不小于所述第二掺杂型半导体层的厚度，所述隔离材料层至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层电性隔离。9.根据权利要求8所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述隔离材料层的材质包括离子注入材料，所述离子注入材料包括氢、氦、氮、氧、氟、镁、硅和氩中的任意一种或两种以上的组合。10.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：多个LED单元的第一掺杂型半导体层为公共第一掺杂型半导体层。
11.根据权利要求3所述的微显示LED芯片结构，其特征在于：所述第一掺杂型半导体层和第二掺杂型半导体层中的一者为P型半导体层，另一者为N型半导体层。12.根据权利要求3所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄永漳，
申请(专利权)人：镭昱光电科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。