一种阵列基板、显示面板制造技术

本申请提供了一种阵列基板、显示面板，涉及显示技术领域，该阵列基板具有开口率高，制作工艺简单，生产成本低的特点。阵列基板包括：显示区以及与显示区相连的非显示区；显示区包括阵列排布的多个子像素；非显示区包括至少一个多晶硅晶体管；子像素包括氧化物晶体管和像素电极；氧化物晶体管的栅极与多晶硅晶体管的第一极和第二极同层设置；氧化物晶体管的有源层与像素电极同层设置且相接触；氧化物晶体管的有源层包括氧化物半导体材料，像素电极包括氧化物导体材料。本申请适用于阵列基板的制作。作。作。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板。

技术介绍

[0002]LTPS(低温多晶硅)技术具有高迁移率，容易实现窄边框；而氧化物技术具有低漏电(即Ioff小)的特点，能够解决漏电问题、实现低功耗；因此将两者结合在一起的LTPO技术，成为行业研究的重点。但目前由于LTPO膜层复杂，且涉及到两种不同的工艺路线，常规的LTPO 基板都达到了15道以上的掩膜(Mask)工艺，这对于产品成本和良率都带来了非常大的挑战。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板具有开口率高，制作工艺简单，生产成本低的特点。
[0004]为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供了一种阵列基板，包括：显示区以及与所述显示区相连的非显示区；所述显示区包括阵列排布的多个子像素；
[0006]其中，所述非显示区包括至少一个多晶硅晶体管；所述子像素包括氧化物晶体管和像素电极；
[0007]所述氧化物晶体管的栅极与所述多晶硅晶体管的第一极和第二极同层设置；所述氧化物晶体管的有源层与所述像素电极同层设置且相接触；所述氧化物晶体管的有源层包括氧化物半导体材料，所述像素电极包括氧化物导体材料。
[0008]可选的，所述阵列基板还包括衬底，所述多晶硅晶体管和所述子像素设置在所述衬底的同一侧；
[0009]所述多晶硅晶体管为顶栅型多晶硅晶体管，所述氧化物晶体管的栅极设置在所述氧化物晶体管的有源层远离所述衬底的一侧，且所述氧化物晶体管的栅极在所述衬底上的正投影与所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
[0010]可选的，所述氧化物晶体管的栅极在所述衬底上的正投影位于所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影以内。
[0011]可选的，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述氧化物晶体管的有源层和所述氧化物晶体管的栅极之间，且所述栅绝缘层为富氧氧化物层。
[0012]可选的，所述氧化物晶体管还包括连接电极，所述连接电极设置在所述氧化物晶体管的栅极远离所述衬底的一侧、且与所述氧化物晶体管的有源层电连接。
[0013]可选的，所述子像素还包括遮光部，所述遮光部设置在所述氧化物晶体管的有源层靠近所述衬底的一侧、且所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影位于所述遮光部在所述衬底上的正投影以内，所述像素电极在所述衬底上的正投影与述遮光部在所述衬底上的正投影部分交叠。
[0014]可选的，所述多晶硅晶体管的栅极与所述遮光部同层设置。
[0015]可选的，所述子像素还包括开口区以及与所述开口区相连的非开口区；
[0016]所述氧化物晶体管设置在所述非开口区，所述像素电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极的两侧分别与所述第二子电极和所述氧化物晶体管的有源层相接触，所述第一子电极设置在所述非开口区，所述第二子电极设置在所述开口区。
[0017]可选的，所述子像素的所述开口区还包括第一钝化部和公共电极；
[0018]所述第一钝化部覆盖所述第二子电极，所述公共电极设置在所述第一钝化部远离所述第二子电极一侧。
[0019]可选的，所述像素电极为面状电极，所述公共电极包括至少一个条形子电极。
[0020]可选的，所述阵列基板还包括第二钝化部，所述第二钝化部覆盖所述多晶硅晶体管和所述氧化物晶体管。
[0021]可选的，所述阵列基板还包括衬底和平坦部，所述平坦部位于设置在所述第二钝化部靠近所述衬底的一侧，且所述平坦部在所述衬底上的正投影与所述第一钝化部在所述衬底上的正投影不交叠。
[0022]可选的，所述显示区还包括衬底、以及设置在所述衬底上的多条栅线和多条数据线；
[0023]所述栅线沿垂直于所述衬底的方向与所述氧化物晶体管的有源层交叠的部分为所述氧化物晶体管的栅极；所述栅线与所述多晶硅晶体管的第一极和第二极同层设置；
[0024]所述数据线沿垂直于所述衬底的方向与所述氧化物晶体管的有源层交叠的部分为所述氧化物晶体管的连接电极。
[0025]另一方面，提供了一种显示面板，包括上述的阵列基板。
[0026]本申请中，氧化物晶体管的有源层与像素电极同层设置且相接触，那么可以避免设置漏极，一方面可以减少Mask工艺，降低了制作工艺的复杂度。另一方面，相关技术中漏极多采用不透光金属制作，从而降低了透过率和开口率；而本申请中，无需额外设置漏极，同时，像素电极包括氧化物导体材料，而氧化物导体材料的透过率较高，从而大幅提升了透过率和开口率。另外，本申请中氧化物晶体管的栅极与多晶硅晶体管的第一极和第二极同层设置，可以进一步减少Mask工艺，简化工艺复杂度。本申请提供的阵列基板具有开口率高，制作工艺简单，生产成本低的特点。
[0027]上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0030]图2为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
[0031]图3为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
[0032]图4
‑
13为本申请实施例提供的一种制备如图13结构的流程结构图；
[0033]图14为本申请实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0036]在本申请的实施例中，“多个”的含义是两个或两个以上，“至少一个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
[0037]在本申请的实施例中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：显示区以及与所述显示区相连的非显示区；所述显示区包括阵列排布的多个子像素；其中，所述非显示区包括至少一个多晶硅晶体管；所述子像素包括氧化物晶体管和像素电极；所述氧化物晶体管的栅极与所述多晶硅晶体管的第一极和第二极同层设置；所述氧化物晶体管的有源层与所述像素电极同层设置且相接触；所述氧化物晶体管的有源层包括氧化物半导体材料，所述像素电极包括氧化物导体材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括衬底，所述多晶硅晶体管和所述子像素设置在所述衬底的同一侧；所述多晶硅晶体管为顶栅型多晶硅晶体管，所述氧化物晶体管的栅极设置在所述氧化物晶体管的有源层远离所述衬底的一侧，且所述氧化物晶体管的栅极在所述衬底上的正投影与所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影至少部分交叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物晶体管的栅极在所述衬底上的正投影位于所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影以内。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述氧化物晶体管的有源层和所述氧化物晶体管的栅极之间，且所述栅绝缘层为富氧氧化物层。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述氧化物晶体管还包括连接电极，所述连接电极设置在所述氧化物晶体管的栅极远离所述衬底的一侧、且与所述氧化物晶体管的有源层电连接。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素还包括遮光部，所述遮光部设置在所述氧化物晶体管的有源层靠近所述衬底的一侧、且所述氧化物晶体管的有源层在所述衬底上的正投影位于所述遮光部在所述衬底上的正投影以内，所述像素电极在所述衬底上的正投影与述遮光部在所述衬底上的正投影部分交叠。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利忠，宁策，邸云萍，童彬彬，黄睿，周天民，杨维，雷利平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：