显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括在基底上依次设置的第一电极、阻挡电极和第二电极，所述第二电极通过连接过孔与所述第一电极连接，所述阻挡电极在所述基底上的正投影与所述连接过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠，所述阻挡电极被配置为使所述连接过孔的孔壁为台阶结构。本公开通过设置阻挡电极，将连接第一电极和第二电极的连接过孔设置成台阶结构，提高了过孔内的膜层沉积质量，有效解决了现有制备工艺存在良品率低等问题，提高了良品率。提高了良品率。提高了良品率。

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置


[0001]本公开涉及但不限于显示
，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum
‑
dot Light Emitting Diodes，简称QLED)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，现有OLED或QLED显示装置的制备工艺存在良品率低等问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决现有制备工艺存在的良品率低等问题。
[0006]本公开提供了一种显示基板，包括在基底上依次设置的第一电极、阻挡电极和第二电极，所述第二电极通过连接过孔与所述第一电极连接，所述阻挡电极在所述基底上的正投影与所述连接过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠，所述阻挡电极被配置为使所述连接过孔的孔壁为台阶结构。
[0007]在示例性实施方式中，所述显示基板还包括：设置在所述第一电极和阻挡电极之间的第一复合绝缘层，设置在所述阻挡电极和第二电极之间的第二复合绝缘层；所述连接过孔包括相互连通的第一子孔、第二子孔和第三子孔，所述第一子孔为设置在所述第一复合绝缘层上的过孔，所述第二子孔为设置在所述阻挡电极上的过孔，所述第三子孔为设置在所述第二复合绝缘层上的过孔。
[0008]在示例性实施方式中，所述第一子孔在基底上的正投影位于所述第二子孔在基底上的正投影的范围之内，所述第二子孔在基底上的正投影位于所述第三子孔在基底上的正投影的范围之内。
[0009]在示例性实施方式中，所述第二子孔和第三子孔的交界处形成台阶，所述第三子孔暴露出所述第二子孔和所述阻挡电极远离基底一侧的表面。
[0010]在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面内，所述第一子孔、第二子孔和第三子孔的截面形状为倒梯形状。
[0011]在示例性实施方式中，所述第三子孔的孔壁坡度角大于所述第一子孔的孔壁坡度角，所述第一子孔的孔壁坡度角大于所述第二子孔的孔壁坡度角，所述孔壁坡度角为孔的内壁与基底平面之间的夹角。
[0012]在示例性实施方式中，所述第一子孔的孔壁坡度角为55
°
至75
°
。
[0013]在示例性实施方式中，所述第二子孔的孔壁坡度角为25
°
至45
°
。
[0014]在示例性实施方式中，所述第三子孔的孔壁撒坡度角为55
°
至80
°
。
[0015]在示例性实施方式中，在平行于基底的平面内，所述阻挡电极的形状为圆形环状、椭圆形环状、矩形环状、五边形环状或者六边形环状。
[0016]在示例性实施方式中，在垂直于基底的平面内，所述阻挡电极的截面形状为梯形状，所述阻挡电极位于环形外侧的侧边坡度角为25
°
至45
°
，所述侧边坡度角为所述阻挡电极的侧边与基底平面之间的夹角。
[0017]在示例性实施方式中，所述显示基板包括在基底上依次设置的第一导电层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二导电层、第三绝缘层、第三导电层、第四绝缘层和第四导电层，所述第一电极设置在所述第一导电层中，所述第二电极设置在所述第四导电层中，所述阻挡电极设置在所述第二导电层和/或第三导电层中。
[0018]在示例性实施方式中，所述第一电极为遮挡电极，所述第二电极为晶体管的源电极。
[0019]本公开还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
[0020]本公开还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
[0021]在基底上依次形成第一电极、阻挡电极和第二电极，所述第二电极通过连接过孔与所述第一电极连接，所述阻挡电极在所述基底上的正投影与所述连接过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠，所述阻挡电极被配置为使所述连接过孔的孔壁为台阶结构。
[0022]本公开示例性实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置，通过设置阻挡电极，将连接第一电极和第二电极的连接过孔设置成台阶结构，提高了过孔内的膜层沉积质量，有效解决了现有制备工艺存在良品率低等问题，提高了良品率。
[0023]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0024]附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
[0025]图1为一种显示装置的结构示意图；
[0026]图2为一种显示基板的平面结构示意图；
[0027]图3为一种显示基板的剖面结构示意图；
[0028]图4为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
[0029]图5为一种像素驱动电路的工作时序图；
[0030]图6为本公开示例性实施例一种显示基板的剖面结构示意图；
[0031]图7为本公开示例性实施例形成第一导电层图案后的示意图；
[0032]图8为本公开示例性实施例形成半导体图案后的示意图；
[0033]图9为本公开示例性实施例形成第二导电层图案后的示意图；
[0034]图10为本公开示例性实施例一种阻挡电极的平面结构示意图；
[0035]图11为本公开示例性实施例一种阻挡电极的剖面结构示意图；
[0036]图12为本公开示例性实施例形成第三导电层图案后的示意图；
[0037]图13为本公开示例性实施例形成第四绝缘层图案后的示意图；
[0038]图14为本公开示例性实施例一种第三过孔的剖面结构示意图；
[0039]图15为本公开示例性实施例形成第四导电层图案后的示意图；
[0040]图16为本公开示例性实施例一种源电极与遮挡电极连接的结构示意图；
[0041]图17为本公开示例性实施例另一种显示基板的剖面结构示意图；
[0042]图18为本公开示例性实施例另一种第三过孔的剖面结构示意图；
[0043]图19为本公开示例性实施例又一种显示基板的剖面结构示意图；
[0044]图20为本公开示例性实施例又一种第三过孔的剖面结构示意图。
[0045]附图标记说明:
[0046]10—基底；
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11—第一绝缘层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括在基底上依次设置的第一电极、阻挡电极和第二电极，所述第二电极通过连接过孔与所述第一电极连接，所述阻挡电极在所述基底上的正投影与所述连接过孔在所述基底上的正投影至少部分交叠，所述阻挡电极被配置为使所述连接过孔的孔壁为台阶结构。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置在所述第一电极和阻挡电极之间的第一复合绝缘层，设置在所述阻挡电极和第二电极之间的第二复合绝缘层；所述连接过孔包括相互连通的第一子孔、第二子孔和第三子孔，所述第一子孔为设置在所述第一复合绝缘层上的过孔，所述第二子孔为设置在所述阻挡电极上的过孔，所述第三子孔为设置在所述第二复合绝缘层上的过孔。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一子孔在基底上的正投影位于所述第二子孔在基底上的正投影的范围之内，所述第二子孔在基底上的正投影位于所述第三子孔在基底上的正投影的范围之内。4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第二子孔和第三子孔的交界处形成台阶，所述第三子孔暴露出所述第二子孔和所述阻挡电极远离基底一侧的表面。5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在垂直于基底的平面内，所述第一子孔、第二子孔和第三子孔的截面形状为倒梯形状。6.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第三子孔的孔壁坡度角大于所述第一子孔的孔壁坡度角，所述第一子孔的孔壁坡度角大于所述第二子孔的孔壁坡度角，所述孔壁坡度角为孔的内壁与基底平面之间的夹角。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一子孔的孔壁坡度角为55
°
至75
°
。8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊星，李希萌，杨钟，刘莉，刘全，徐春雷，温庆林，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：