一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法技术

本发明专利技术公开了一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法，包括以下步骤：(1)碳化硅曝光显影；(2)干法刻蚀；(3)干法去胶；(4)金属蒸发；(5)蒸发后热处理；在步骤(3)和步骤(4)之间进行“背部氧化层去除”，在步骤(5)之后进行“去除碳析出”工艺。本发明专利技术针对碳化硅制程工艺中存在的碳析出问题，在流程中增加了两道工艺。第一道去除了干法去胶后碳化硅晶圆背面存在的氧化物，以便于形成干净整洁的晶圆背面，有利于控制晶圆的传送和后续工艺制程的背部污染；第二道利用干法和湿法结合去除金属蒸发在碳化硅表面并进行高温热处理后表面析出的碳，很好地控制了碳析出造成的传送问题和污染问题。图五显示了干净的碳化硅背部。显示了干净的碳化硅背部。显示了干净的碳化硅背部。

【技术实现步骤摘要】
一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法


[0001]本专利技术涉及晶圆传送方法，尤其涉及一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法。

技术介绍

[0002]目前，第三代半导体越来越受到人们重视，特别是在航空航天、高铁、电力系统等功率密度使用高的场合。氮化镓和碳化硅是第三代半导体产业中的核心材料。相对于成熟的硅基工艺，第三代半导体材料和工艺仍然处于验证和提高的阶段。
[0003]在碳化硅工艺制造中，涉及高温热处理的工序，如果碳化硅直接暴露于空气中，会存在碳析出的现象。图1中阴影部分显示了在碳化硅表面镀金属膜后进行热处理，晶圆背部裸露的碳化硅材质出现的碳析出现象，这种碳析出造成的晶圆背部表面粗糙度大，在自动化传送中容易产生手臂吸附晶圆背面不牢，导致摔片/破片问题；同时，背部存在的碳析出容易产生微颗粒，在传送过程中容易掉落到下一片晶圆表面(如图2所示)，进而造成成品率低的问题。
[0004]从图1还可以发现，碳析出存在特定的花纹图案，这种图案是由于碳化硅金属沉积和热处理前未对背部进行清洁处理造成，背部特殊的图案是从前道工艺造成的背部附着物材质不均形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法，包括以下步骤：(1)碳化硅曝光显影：通过光刻方法打开需要刻蚀的部分，使得碳化硅上部的硬掩模暴露出来；(2)干法刻蚀：利用等离子体将光刻曝光开的部分进行刻蚀；首先刻蚀硬掩模，之后透过硬掩模的保护，继续刻蚀底部的碳化硅直到达到需要的深度和开口；(3)干法去胶：干法刻蚀后，硬掩模顶部存在残留的光刻胶，在金属蒸发前需要将这部分光刻胶去除；通常使用氧基的等离子体进行干法去除；(4)金属蒸发：需要在干净整洁的碳化硅晶圆上进行金属蒸发，通常是按批量来进行，晶圆通过石英舟立式放入蒸发炉，因此晶圆的正面和背面均会有金属被蒸发到表面；(5)蒸发后热处理：热处理通常在1000摄氏度以上的温度进行，目的是形成金属和碳化硅间的欧姆接触或者肖特基势垒接触；其特征在于：在“干法去胶”和“金属蒸发”工艺之间进行“背部氧化层去除”，并在“蒸发后热处理”工艺之后进行“去除碳析出”工艺。2.根据权利要求1所述的一种解决碳化硅晶圆传送失效的方法，其特征在于：所述“背部氧化层去除”工艺是：采用稀释的氢氟酸进行湿法清洗，将干法去胶后晶圆背部的氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振，郑长吉，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：