一种短沟道场效应管及其制作方法技术

本说明书一个或多个实施例提供一种短沟道场效应管及其制作方法，能够对沟道长度进行精确控制且控制操作工艺简单。所述方法包括：获取第一导电衬底及第一导电外延层,在所述第一导电外延层上表面沉积生成注入掩膜层；对所述注入掩膜层进行刻蚀生成具有注入掩膜角的掩膜窗口；利用所述掩膜窗口依次进行第二导电离子注入与第一导电离子注入，其中第二导电离子垂直注入，第一导电离子对称倾斜注入；所述第二导电掺杂区中超出所述第一导电掺杂区的部分形成短沟道，在所述短沟道基础上设置源极、栅极与漏极，形成所述短沟道场效应管。所述短沟道场效应管利用所述制作方法制得。短沟道场效应管利用所述制作方法制得。短沟道场效应管利用所述制作方法制得。

【技术实现步骤摘要】
一种短沟道场效应管及其制作方法


[0001]本说明书一个或多个实施例涉及半导体器件制作
，尤其涉及一 种短沟道场效应管及其制作方法。

技术介绍

[0002]碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)，具有低导通电阻、 开关速度快、耐高温等特点，在高压变频、新能源汽车、轨道交通等领域具 有巨大的应用优势。为了提高MOSFET电流密度，有效的控制和缩短器件的 沟道长度成为主要的研究方向之一。
[0003]现有控制和缩短SiC MOSFET沟道长度的方法中，多采用多晶硅氧化后 的侧墙作为注入阻挡层实现对沟道进行控制，采用这种方式注入离子形成的 导电掺杂区的区域范围往往存在较大误差，无法精确地对所形成的沟道长度 进行控制；一些控制和缩短沟道程度的方法，采用斜面掩膜的方式，通过调 整掩膜角度实现对沟道进行控制，采用这种方式调整掩膜角度的技术工艺要 求高、工艺实现难度大、所涉及的需要调节的参数复杂，技术方案实现整体 难度高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种短沟道场本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种短沟道场效应管制作方法，其特征在于，包括：获取第一导电衬底，所述第一导电衬底上层叠设置有第一导电外延层,在所述第一导电外延层上表面沉积生成注入掩膜层；对所述注入掩膜层进行刻蚀生成具有注入掩膜角的掩膜窗口，所述注入掩膜角是指所述掩膜窗口侧壁与所述第一导电外延层上表面形成的夹角；利用所述掩膜窗口依次进行第二导电离子注入与第一导电离子注入；所述第二导电离子相对所述第一导电外延层上表面垂直注入形成第二导电掺杂区；所述第一导电离子相对所述第一导电外延层上表面倾斜注入形成第一导电掺杂区；所述第一导电掺杂区范围小于所述第二导电掺杂区，所述第二导电掺杂区中超出所述第一导电掺杂区的部分形成短沟道，在所述短沟道基础上设置源极、栅极与漏极，形成所述短沟道场效应管。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述注入掩膜层进行刻蚀生成具有注入掩膜角的掩膜窗口，包括：在所述注入掩膜层表面均匀涂抹光刻胶；根据目标刻蚀位置与目标刻蚀形状确定显影图样，依据所述显影图样对所述光刻胶进行曝光与显影，生成光刻窗口；利用所述光刻窗口对所述注入掩膜层进行刻蚀；在刻蚀时对刻蚀时间、刻蚀速度、物理刻蚀与化学刻蚀比例进行控制，使所述掩膜窗口侧壁相对所述第一导电外延层上表面形成夹角，即所述注入掩膜角。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述依据所述显影图样对所述光刻胶进行曝光与显影，生成光刻窗口，包括：所述光刻窗口具有便于使所述掩膜窗口形成所述注入掩膜角的预刻蚀角；所述预刻蚀角是指所述光刻窗口侧壁与所述注入掩膜层上表面形成的夹角；对所述光刻胶进行曝光与显影生成具有所述预刻蚀角的所述光刻窗口，包括：根据所述第一导电外延层的透光率，对曝光时的曝光焦距与曝光能量进行调控，使所述光刻窗口侧壁相对所述注入掩膜层上表面形成夹角，即所述预刻蚀角。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗烨辉，郑昌伟，焦莎莎，丁杰钦，王志成，刘芹，王亚飞，李诚瞻，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：