用于制造沟槽MOSFET的方法技术

在一种用于制造沟槽MOSFET的方法中，在单晶半导体层中产生沟槽，然后首先以散射氧化物层并且随后以多晶硅层在整个表面上覆盖表面，从而至少部分地以所述多晶硅填满所述沟槽。然后，将所述多晶硅层平坦化，直至所述沟槽之间的区域中的半导体层的表面为止。通过对所述沟槽中的多晶硅的裸露表面进行热氧化物，在所述多晶硅上产生厚的SiO2层，所述SiO2层用作用于后续注入步骤的注入掩模。随后进行用于产生源区和阱区的离子注入步骤以及用于完成所述MOSFET的其他步骤。所述方法使得能够以成本有利的方式在SiC中制造沟槽MOSFET，而无需用于产生所述源区和所述阱区的光刻设备。产生所述源区和所述阱区的光刻设备。产生所述源区和所述阱区的光刻设备。

【技术实现步骤摘要】
用于制造沟槽MOSFET的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于制造沟槽MOSFET的方法，在该方法中，在进行离子注入(Ionenimplantation)以产生源区和阱区之前，在单晶半导体层中产生沟槽，并且至少部分地以多晶硅填满该沟槽。
[0002]沟槽MOSFET(MOSFET：Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)是垂直构建的晶体管构件，其中，晶体管沟道垂直延伸。相对于平面式MOSFET，沟槽MOSFET具有以下优点：省去平面式MOSFET中存在的JFET区和与此相关的电阻。因此，沟槽MOSFET具有较低的电阻，并且由于其更大的集成密度而能够节省芯片面积并且因此节省制造成本。

技术介绍

[0003]在沟槽MOSFET的制造中，至今经常使用光刻掩模，借助这些光刻掩模，所有待转移到构件中的结构都通过相应的透明和不透明的区进行限定。对于掩模匹配的结构转移，具有相应高的分辨能力和调整能力本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造沟槽MOSFET的方法，所述方法具有以下步骤：在单晶半导体层(2)中产生沟槽(3)，沉积散射氧化物层(5)，并且随后沉积多晶硅层，从而至少部分地以多晶硅(6)填满所述沟槽(3)，将所述多晶硅层平坦化，直至所述沟槽(3)之间的半导体层的表面为止，对所述沟槽(3)中的所述多晶硅(6)的裸露表面进行热氧化，以便在所述沟槽(3)中的所述多晶硅(6)上产生热SiO2层(7)，所述热SiO2层形成用于随后的注入步骤的注入掩模，执行第一离子注入，以产生第一掺杂类型的源区(9)，执行第二离子注入，以在所述源区(9)下方产生第二掺杂类型的阱区(10)，从所述沟槽(3)中去除具有所述热SiO2层(7)的多晶硅(6)，以及在所述沟槽(3)中，沉积氧化物层(13)，并且随后沉积多晶硅层(14)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述热SiO2层(7)产生得如此之厚，使得所述热SiO2层...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会，
类型：发明
国别省市：