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在一种用于制造沟槽MOSFET的方法中，在单晶半导体层中产生沟槽，然后首先以散射氧化物层并且随后以多晶硅层在整个表面上覆盖表面，从而至少部分地以所述多晶硅填满所述沟槽。然后，将所述多晶硅层平坦化，直至所述沟槽之间的区域中的半导体层的表面为止...
该专利属于弗劳恩霍夫应用研究促进协会所有，仅供学习研究参考，未经过弗劳恩霍夫应用研究促进协会授权不得商用。

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