碳化硅晶体管及其制备方法技术

本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。具体地，所述制备方法包括：在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体管及其制备方法


[0001]本说明书一个或多个实施例涉及半导体
，尤其涉及一种碳化硅晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。其中，碳化硅材料金属-氧化物半导体场效应晶体管(简称SiC MOSFET)具有低导通电阻、开关速度快、耐高温等特点，在高压变频、新能源汽车、轨道交通等领域具有巨大的应用优势。为了提高SiC MOSFET电流密度，有效的控制和缩短器件的沟道长度成为主要的研究方向之一。当器件的沟道长度缩短时，光刻对准工艺需具备极高的精度要求，对工艺制造带来了极大的挑战。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本说明书一个或多个实施例的目的在于提出一种碳化硅晶体管及其制备方法，以提高沟道的对准精度，降低工艺制造的难度。
[0004]基于上述目的，本说明书的第一方面提供了一种碳化硅晶体管的制备方法，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供碳化硅外延层；在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；所述Poly注入掩蔽层包括与第一注入窗口对应的第一导电类型掩蔽区和与所述掩膜标记对应的Poly层标记；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述碳化硅外延层包括对准标记；所述第一掩膜层的制备步骤包括：在所述Poly薄层上沉积第一初始掩膜层；以所述对准标记为对准参照，所述Poly薄层为刻蚀截止层，对所述第一初始掩膜层进行光刻形成包括第一注入窗口和掩膜标记的第一掩膜层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对准标记和所述Poly层标记位于划片道区域，且所述对准标记和所述Poly层标记的延伸方向相互垂直。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对准标记和所述Pol...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗烨辉，魏伟，赵艳黎，王志成，郑昌伟，龚芷玉，李诚瞻，罗海辉，
申请(专利权)人：株洲中车时代半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：