一种发光二极管的制作方法及发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管的制作方法及发光二极管，且发光二极管的制作方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延结构；在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。通过本发明专利技术提供的一种发光二极管的制作方法及发光二极管，可提高发光二极管的性能。可提高发光二极管的性能。可提高发光二极管的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的制作方法及发光二极管


[0001]本专利技术属于半导体制作
，特别涉及一种发光二极管的制作方法及发光二极管。

技术介绍

[0002]在发光二极管制程中，常使用氧化硅或氮化硅等绝缘层作为刻蚀掩膜层、电流阻挡层、钝化层或介质隔离层等，在发光二极管中根据具体结构进行选择氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN
x
)等绝缘层。
[0003]在发光二极管制作过程中，常采用等离子体气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)来制备氧化硅或氮化硅膜层。在使用微波或者高频电场时，会产生高能量离子。高能量离子轰击到发光二极管上，造成发光二极管产生损伤，影响发光二极管的性能。
[0004]因此，如何防止沉积绝缘层时对发光二极管的损伤是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光二极管的制作方法及发光二极管，旨在解决在沉积绝缘物质时对发光二极管损伤的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0007]本专利技术提供一种发光二极管的制作方法，其至少包括：
[0008]提供一衬底；
[0009]在所述衬底上形成半导体外延结构；
[0010]在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及
[0011]在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。
[0012]可选地，所述氧化硅薄膜的形成方法包括：将所述半导体外延结构浸泡在第一溶液中，以生成所述氧化硅薄膜。
[0013]上述钝化层的制作方法，通过溶液沉积方式，在半导体外延结构上形成钝化层，在形成过程中，不产生高活性的氢自由基，可减少高活性的氢自由基对半导体外延结构的损伤，提高制备的半导体器件的性能。
[0014]可选地，述第一溶液包括硅源和氟离子消耗剂。
[0015]可选地，所述硅源为氟硅酸铵或氯硅酸铵中的一种或组合。
[0016]可选地，所述氟离子消耗剂为硼酸或铝中的一种或组合。
[0017]可选地，所述氧化钛薄膜的形成方法包括：将带有所述氧化硅薄膜的所述半导体外延结构浸泡在第二溶液中，以生成所述氧化钛薄膜。
[0018]上述第一溶液和第二溶液中加入氟离子消耗剂，可以与硅源或钛源水解产出的氟离子反应，以促进氧化硅或氧化钛的析出，沉积具有一定厚度的氧化硅薄膜或氧化钛薄膜。
[0019]可选地，所述第二溶液包括钛源，且所述钛源为氟钛酸铵或氯钛酸铵中的一种或组合。
[0020]上述钝化层的制作方法，通过控制溶液中的物质和反应条件，可控制钝化层的厚度，工艺简单，且不需要复杂的设备或仪器，节约成本。
[0021]可选地，所述重复生长所述氧化硅薄膜和所述氧化钛薄膜的步骤包括：在生长每一层薄膜前，将所述半导体外延结构放入清洗液中清洗。
[0022]上述通过形成每一层薄膜前，对半导体外延结构进行清洗，去除表面残留溶液，以防止反应溶液的污染，提高沉积复合薄膜的质量。
[0023]可选地，所述钝化层形成后进行高温退火，且所述高温退火包括以下步骤：
[0024]将带有所述钝化层的所述衬底放入反应室内；以及
[0025]将所述钝化层退火。
[0026]上述钝化层通过真空高温退火，可得到高致密以及高反射率的钝化层，一方面减少制备钝化层的过程中对半导体外延结构的损伤，另一方面，提高半导体外延结构的发光亮度。
[0027]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光二极管，包括：
[0028]衬底；
[0029]半导体外延结构，设置在所述衬底上；
[0030]钝化层，设置在所述半导体外延结构上，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及
[0031]电极，设置在所述钝化层上，且与所述半导体外延结构电性连接。
[0032]上述的发光二极管中，钝化层同样采用溶液沉积的方式制备，减少对发光二极管的损伤，提高发光二极管的制作良率。
[0033]当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为一实施例中第一图案化光阻层结构示意图。
[0036]图2为图1的俯视图。
[0037]图3为一实施例中台面结构示意图。
[0038]图4为一实施例中第二图案化光阻层结构示意图。
[0039]图5为一实施例中沟槽结构示意图。
[0040]图6为一实施例中透明导电层的结构示意图。
[0041]图7为一实施例中第三图案化光阻层结构示意图。
[0042]图8为一实施例中钝化层结构示意图。
[0043]图9为一实施例中钝化层结构形成示意图。
[0044]图10为一实施例中钝化层组成示意图。
[0045]图11为一实施例中第四图案化光阻层结构示意图。
[0046]图12为一实施例中导电通道示意图。
[0047]图13为一实施例中发光二极管示意图。
[0048]图14为一实施例中第五图案化光阻层结构示意图。
[0049]图15为一实施例中微型发光二极管显示器的示意图。
[0050]附图标记说明：
[0051]100发光二极管；100a红色微型发光二极管；100b绿色微型发光二极管；100c蓝色微型发光二极管；10衬底；11半导体外延结构；111第一半导体层；112发光层；113第二半导体层；114台阶；115沟槽；116透明导电层；117钝化层；101第一钝化层；102第二钝化层；103第三钝化层；104第四钝化层；105第五钝化层；106第六钝化层；107第七钝化层；108第八钝化层；118第一导电通道；119第二导电通道，120电极；121第一电极；122第二电极；12第一图案化光阻层；201开口；13第二图案化光阻层；14第三图案化光阻层；15第四图案化光阻层；16第五图案化光阻层；21第一溶液；22第二溶液；23清洗液；20基板；201基底；202电路层；203平坦化层；204保护层；205保护基板。
具体实施方式
[0052]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0053]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成半导体外延结构；在所述半导体外延结构上形成钝化层，且所述钝化层包括重复性层叠设置的氧化硅薄膜和氧化钛薄膜；以及在所述钝化层上形成电极，且所述电极与所述半导体外延结构电性连接。2.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的形成方法包括：将所述半导体外延结构浸泡在第一溶液中，以生成所述氧化硅薄膜。3.如权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述第一溶液包括硅源和氟离子消耗剂。4.如权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述硅源为氟硅酸铵或氯硅酸铵中的一种或组合。5.如权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述氟离子消耗剂为硼酸或铝中的一种或组合。6.如权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述氧化钛薄膜的形成方法包括：将带有所述氧化硅薄膜的所述半导体外延结构浸泡在第二溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟先华，张彬彬，肖峰，张涛，苏财钰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：