三维存储器的制作方法技术

本公开实施例提供了一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；形成覆盖核心区和台阶区的第一介质层；对覆盖核心区的第一介质层进行第一蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；形成覆盖剩余的第一介质层以及核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖台阶区的第二介质层的表面与衬底之间的距离，大于核心区的表面与衬底之间的距离；对覆盖核心区的第二介质层进行第二蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；在第二蚀刻之后，对台阶区和核心区进行平坦化处理，以使台阶区表面与核心区表面平齐。台阶区表面与核心区表面平齐。台阶区表面与核心区表面平齐。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器的制作方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种三维存储器的制作方法。

技术介绍

[0002]三维存储器包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。在NAND结构的三维存储器件中，采用三维堆叠结构提供选择晶体管和存储晶体管等器件。三维堆叠结构包括用于存储的核心区(Core Array region)和用于电连接的台阶区(stair
‑
step region)。栅极结构的端部位于台阶区中，呈台阶状，并通过导电通道连接至字线。
[0003]随着存储器件中堆叠的存储单元层数越来越多，需要更厚的介质层填充台阶区，使得填充后的台阶区与核心区的表面平齐，以便于为后续其他膜层结构的形成提供平整表面。在形成上述介质层填充台阶区的过程中，部分介质层会覆盖核心区，因此，需要进行核心区平坦化(Core Planarization,CPL)工艺。目前，该平坦化过程难度较大。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种三维存储器的制作方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；形成覆盖所述核心区和所述台阶区的第一介质层；对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域；形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区暴露区域的第二介质层；其中，覆盖所述台阶区的所述第二介质层的表面与所述衬底之间的距离，大于所述核心区的表面与所述衬底之间的距离；对覆盖所述核心区的所述第二介质层进行第二蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域；在所述第二蚀刻之后，对所述台阶区和所述核心区进行平坦化处理，以使所述台阶区表面与所述核心区表面平齐。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介质层包括第三子层以及第四子层；所述形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区的暴露区域的第二介质层，包括：形成覆盖剩余的所述第一介质层以及所述核心区的暴露区域的第三子层；形成覆盖所述第三子层的第四子层；其中，所述第三子层的台阶覆盖率，大于所述第四子层的台阶覆盖率。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之前，所述方法还包括：形成覆盖所述核心区的阻挡层；所述对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，以暴露所述核心区的至少部分区域，包括：对覆盖所述核心区的所述第一介质层进行第一蚀刻，直至显露所述阻挡层。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙璐，杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：