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本公开实施例提供了一种三维存储器的制作方法，包括：在衬底上形成包括核心区和台阶区的堆叠结构；形成覆盖核心区和台阶区的第一介质层；对覆盖核心区的第一介质层进行第一蚀刻，以暴露核心区的至少部分区域；形成覆盖剩余的第一介质层以及核心区暴露区域的第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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