半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括一中介层基底，其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的一端部互相齐平。端部互相齐平。端部互相齐平。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种包括具有电子元件及护卫环的中介层基底的半导体结构。

技术介绍

[0002]先进半导体技术中，异质整合技术利用中介层来乘载并电连接不同的芯片，可实现更高的速度、更高的频宽及更低的功耗。随着芯片复杂度提升及更小封装尺寸的要求，如何进一步提高整合集成度并减少封装中电子元件之间的信号干扰为本领域重要的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种改良的半导体结构，可提高整合集成度及降低电子信号干扰。
[0004]根据本专利技术一实施例提供的一种半导体结构，包括一中介层基底，其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中，并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的一端部互相齐平。
附图说明
[0005]图1为本专利技术一实施例的半导体结构的部分区域的剖面示意图；
[0006]图2为本专利技术一实施例的半导体结构的中介层基底的部分区域俯视示意图；
[0007]图3至图6为本专利技术一实施例的半导体结构的制作方法的步骤剖面示意图；
[0008]图7至图9为本专利技术一实施例的半导体结构的制作方法的步骤剖面示意图；
[0009]图10为本专利技术一实施例的半导体结构的部分区域的剖面示意图；
[0010]图11为本专利技术一实施例的半导体结构的中介层基底的部分区域俯视示意图。
[0011]主要元件符号说明
[0012]100
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中介层基底
[0013]102
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上表面
[0014]104
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下表面
[0015]110
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元件区
[0016]112
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电子元件
[0017]120
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穿硅通孔
[0018]130
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护卫环
[0019]132
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辅助护卫环
[0020]134
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辅助护卫环
[0021]136
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辅助护卫环
[0022]140
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第一重布线层
[0023]141
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介电层
[0024]142
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导电层
[0025]143
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第一屏蔽层
[0026]150
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二重布线层
[0027]151
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
介电层
[0028]152
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导电层
[0029]153
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二屏蔽层
[0030]160
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凸块
[0031]300
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芯片
[0032]302
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微凸块
[0033]100a
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前侧
[0034]100b
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背侧
[0035]112'
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沟槽
[0036]120'
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孔洞
[0037]130'
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沟槽
[0038]120a
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端部
[0039]120b
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端部
[0040]130a
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端部
[0041]130b
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端部
[0042]X
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方向
[0043]Y
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方向
[0044]Z
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方向
具体实施方式
[0045]接下来的详细说明及叙述，参照相关附图所示内容，共同用来说明可依据本专利技术而具体实行的实施例。这些实施例已提供足够的细节，使此领域中的技术人员能充分了解并具体实行本专利技术。在不悖离本专利技术的范围内，可做结构、逻辑和电性上的修改，而应用在其他实施例上。
[0046]为了方便说明以及为了使本领域的技术人员能更容易了解本专利技术，本专利技术的各附图只是示意图，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。在说明中所描述对于图形中相对器件的上下关系，本领域的技术人员应能理解其是指物件的相对位置，都可以翻转而呈现相同的构件，因此，都应同属本说明书所揭露的范围，在此容先叙明。
[0047]在本说明书中，「晶片」、「基底」或「基板」意指任何包含一暴露面，可依据本专利技术实施例所示在其上沉积材料，制作集成电路结构的结构物，例如布线层。需了解的是「基底」包含半导体晶片，但并不限于此。「基底」在制作工艺中也意指包含制作于其上的材料层的半导体结构物。
[0048]应当容易理解，本说明书使用的术语例如「在
…
上」、「在
…
之上」、「在
…
上方」「在
…
下」、「在
…
之下」、「在
…
下方」等空间相对术语的含意应以最宽泛的方式解释，使得这些术语不仅意味着「直接在某物上」或「直接在某物下」，而且还包括「在具有中间特征或层
的情况下间接在某物上」或「在具有中间特征或层的情况下间接在某物下」的含意。
[0049]此外，上述空间相对术语是为了便于描述如附图所示的一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的关系。除了附图中所示的取向之外，空间相对术语旨在涵盖元件在使用或操作中的不同取向。该元件可以其他方式定向(例如旋转90度或在其他取向)，并且同样可以对应地解释本文使用的空间相关描述词。
[0050]图1为根据本专利技术一实施例的半导体结构的部分区域的剖面示意图。如图1所示，半导体结构包括一中介层基底(interposer substrate)100，其前侧100a具有一上表面102，背侧100b具有一下表面104。上表面102和下表面104相对设置，并且均大致上沿着X方向和Y方向延伸。中介层基底100可包括硅基底或其他合适的半导体基底，但不限于此。中介层基底100定义有至少一元件区110，至少一电子元件112可通过半导体制作工艺形成在元件区110中。电子元件112可包括被动(无源)元件，例如可包括电容、电阻或电感的其中至少一者，但不限于此。在一些实施例中，电子元件112不包括主动(有源)元件，例如不包括晶体管(transist本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括中介层基底，包括上表面及相对于该上表面的下表面；护卫环，形成在该中介层基底中，并且围绕该中介层基底的元件区；至少一穿硅通孔，形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的端部互相齐平。2.如权利要求1所述的半导体结构，另包括电子元件，形成在该中介层基底的该元件区中。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该电子元件包括电容、电阻或电感的其中至少一者。4.如权利要求2所述的半导体结构，其中该电子元件包括深沟电容，该护卫环与该深沟电容由相同材料构成。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该护卫环与该穿硅通孔由相同材料构成。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该护卫环的另一端部以及该穿硅通孔的另一端部互相齐平。7.如权利要求1所述的半导体结构，另包括第一重布线层，设置在该中介层基底的该上表面上，其中该电子元件、该穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春宏，林明哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：