半导体结构制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构，包括一中介层基底，其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的一端部互相齐平。端部互相齐平。端部互相齐平。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种包括具有电子元件及护卫环的中介层基底的半导体结构。

技术介绍

[0002]先进半导体技术中，异质整合技术利用中介层来乘载并电连接不同的芯片，可实现更高的速度、更高的频宽及更低的功耗。随着芯片复杂度提升及更小封装尺寸的要求，如何进一步提高整合集成度并减少封装中电子元件之间的信号干扰为本领域重要的课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种改良的半导体结构，可提高整合集成度及降低电子信号干扰。
[0004]根据本专利技术一实施例提供的一种半导体结构，包括一中介层基底，其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中，并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的一端部互相齐平。
附图说明
[0005]图1为本专利技术一实施例的半导体结构的部分区域的剖面示意图；
[0006]图2为本专利技术一实施例的半导体结构的中介本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括中介层基底，包括上表面及相对于该上表面的下表面；护卫环，形成在该中介层基底中，并且围绕该中介层基底的元件区；至少一穿硅通孔，形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的端部互相齐平。2.如权利要求1所述的半导体结构，另包括电子元件，形成在该中介层基底的该元件区中。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该电子元件包括电容、电阻或电感的其中至少一者。4.如权利要求2所述的半导体结构，其中该电子元件包括深沟电容，该护卫环与该深沟电容由相同材料构成。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该护卫环与该穿硅通孔由相同材料构成。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该护卫环的另一端部以及该穿硅通孔的另一端部互相齐平。7.如权利要求1所述的半导体结构，另包括第一重布线层，设置在该中介层基底的该上表面上，其中该电子元件、该穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春宏，林明哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：