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本发明公开了一种半导体结构，包括一中介层基底，其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中，其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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