【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置以及其制作方法，尤其是涉及一种包括设置于凹陷中的栅极氧化物层的半导体装置以及其制作方法。
技术介绍
[0002]在具有高压处理能力的功率元件中，双扩散金属氧化物半导体(double-diffused MOS，DMOS)晶体管元件持续受到重视。常见的DMOS晶体管元件有垂直双扩散金属氧化物半导体(vertical double-diffused MOS，VDMOS)与横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管元件。而LDMOS晶体管元件因具有较高的操作频宽与操作效率，以及易与其他集成电路整合的平面结构，现已广泛地应用于高电压操作环境中，如中央处理器电源供应(CPU power supply)、电源管理系统(power management system)、直流/交流转换器(AC/DC converter)以及高功率或高频段的功率放大器等等。LDMOS晶体管元件主要的特征为利用设置具有低掺杂浓度、大面积的横向扩散漂移区域来缓和源极端与漏极端之间的高电压，因此可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基底，其中该半导体基底包括第一区以及与该第一区相邻的第二区；凹陷，设置于该半导体基底的该第一区中，其中该凹陷的边缘位于该第一区与该第二区之间的交界处；第一栅极氧化物层，至少部分设置于该凹陷中，其中该第一栅极氧化物层包括隆起部与该凹陷的该边缘相邻设置，且该隆起部的高度小于该凹陷的深度；以及栅极结构，设置于该半导体基底的该第一区与该第二区上，其中该栅极结构于垂直方向上与该第一栅极氧化物层的该隆起部重叠。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该隆起部的该高度小于或等于该凹陷的该深度的15％。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一栅极氧化物层还包括：主体部，与该隆起部相连，其中该主体部的上表面于该垂直方向上低于该隆起部的上表面，且该主体部的厚度大于该隆起部的该高度。4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该隆起部于水平方向上设置于该凹陷的该边缘与该主体部的至少一部分之间，且该隆起部于该水平方向上的长度小于该主体部于该水平方向上的长度。5.如权利要求3所述的半导体装置，其中该栅极结构还于该垂直方向上与该主体部重叠。6.如权利要求3所述的半导体装置，其中该主体部的该厚度介于该凹陷的该深度的90％与该凹陷的该深度的110％之间。7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：第二栅极氧化物层，设置于该半导体基底的该第二区上，其中该第二栅极氧化物层薄于该第一栅极氧化物层，且该栅极结构还于该垂直方向上与该第二栅极氧化物层重叠。8.如权利要求7所述的半导体装置，还包括：栅极介电层，设置于该栅极结构与该半导体基底之间，其中该栅极介电层的一部分于该垂直方向上设置于该栅极结构与该第一栅极氧化物层之间且该栅极介电层的另一部分于该垂直方向上设置于该栅极结构与该第二栅极氧化物层之间。9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：开口，在该垂直方向上贯穿该第一栅极氧化物层；以及漏极区，设置于该半导体基底中且于该垂直方向上与该开口对应设置。10.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：漂移区，设置于该半导体基底中且于该垂直方向上部分位于该第一栅极氧化物层之下；以及漏极区，至少部分设置于该漂移区中。11.一种半导体装置的制作方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底包括第一区以及与该第一区相邻的第二区；在该半导体基底的该第一区中形成凹陷，其中该凹陷的边缘位于该第一区与该第二区之间的交界处；在该半导体基底上形成第一栅极氧化物层，其中该第一栅极氧化物层至少部分设置于
该凹陷中，该第一栅极氧化物层包括隆起部与该凹陷的该边缘相邻设置，且该隆起部的高度小于该凹陷的深度；以及在该半导体基底的该第一区与该第二区上形成栅极结构，其中该栅极结构在垂直方向上与该第一栅极氧化物层的该隆起部重叠。12.如权利要求11所述的半导体装置的制作方法，其中形成该凹陷的步骤包括：在该半导体基底...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊昌铂，杨庆忠，黄善禧，李信宏，李年中，李文芳，李秋德，许智凯，邱淳雅，陈金宏，许嘉榕，傅思逸，林毓翔，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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