半导体元件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一主分支沿着第一方向延伸于基底上以及一次分支沿着第二方向延伸于该主分支旁。半导体元件另包含第一掺杂区依据上视角度重叠该主分支以及该次分支以及第二掺杂区重叠该第一掺杂区。该次分支以及第二掺杂区重叠该第一掺杂区。该次分支以及第二掺杂区重叠该第一掺杂区。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种利用掺杂区重叠栅极结构主分支以及次分支的半导体元件。

技术介绍

[0002]在现有半导体产业中，浮置基体(floating body)硅覆绝缘(silicon-on-insulator,SOI)晶体管通常因热载流子(hot carriers)的累积而造成晶体管本身基体区域的电荷提升并限制晶体管的操作电压及功率。相较于浮置基体SOI晶体管具有上述缺点，具有基体连接的SOI晶体管在电压以及功率操作上已被广泛发现具有更佳的延展性。
[0003]然而，现今具有基体连结的SOI晶体管通常在基体的布局设计上占据过多面积，除了造成元件效果不佳外又容易造成浮体效应或扭结效应(kink effect)，而浮体效应又会导致阈值电压的浮动、存储效应、迟滞效应等一系列问题。因此如何改良现今SOI晶体管以解决上述问题即为现今一重要课题。

技术实现思路

[0004]本专利技术一实施例揭露一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一主分支沿着第一方向延伸于基底上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：栅极结构，设于基底上，其中该栅极结构包含：主分支，沿着第一方向延伸于该基底上；以及次分支，沿着第二方向延伸于该主分支旁；以及第一掺杂区，依据上视角度重叠该主分支以及该次分支。2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含：源极/漏极区域，设于该栅极结构两侧；以及浅沟隔离，环绕该源极/漏极区域。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一掺杂区重叠该源极/漏极区域。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一掺杂区重叠该源极/漏极区域以及该浅沟隔离。5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该源极/漏极区域以及该第一掺杂区包含不同导电型式。6.如权利要求1所述的半导体元件，另包含第二掺杂区，重叠该第一掺杂区。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一掺杂区以及该第二掺杂区包含相同导电型式。8.如权利要求1所述的半导体元件，其中该栅极结构包含该第一掺杂区。9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该主分支包含L形。10.一种半导体元件，其特征在于，包含：栅极结构，设于基底上，其中该栅极结构包含：主分支，沿着第一方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：林恒庆，曾裕腾，张竹君，杨国裕，林家辉，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：