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本发明公开一种半导体元件，其主要包含一栅极结构设于基底上，其中栅极结构包含一主分支沿着第一方向延伸于基底上以及一次分支沿着第二方向延伸于该主分支旁。半导体元件另包含第一掺杂区依据上视角度重叠该主分支以及该次分支以及第二掺杂区重叠该第一掺杂区...
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