半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有开口；位于所述开口底部的功函数层；位于所述功函数层上的第一导电层，所述第一导电层内具有掺杂离子，且所述掺杂离子具有第一浓度；位于所述第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层内具有掺杂离子，所述掺杂离子具有第二浓度，且所述第一浓度小于所述第二浓度。所述第一导电层有利于所述器件的阈值电压保持不变，从而提高形成的半导体结构的稳定性。从而提高形成的半导体结构的稳定性。从而提高形成的半导体结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的发展，集成电路的集成度不断增加，集成电路的特征尺寸也不断减小。且随着半导体器件向高密度和小尺寸发展，金属氧化物半导体器件(Metal Oxide Semiconductor，MOS)成为集成电路中的主要驱动力，MOS晶体管的性能直接影响集成电路整体性能，并且在MOS结构的各项参数内，阈值电压(Vt)是MOS晶体管的重要控制参数。
[0003]为了调节晶体管的阈值电压，半导体技术在晶体管形成过程中，在栅介质层和栅极之间引入了功函数层，所述功函数层能够调节晶体管的功函数，从而调节晶体管的阈值电压。通常形成所述功函数层之前，先沉积阻挡层；在所述阻挡层表面沉积PMOS功函数层或者NMOS功函数层。所述阻挡层能够减少后续工艺对功函数层造成影响。
[0004]然而，现有方法形成的半导体结构的性能较差。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底上具有介质层，所述介质层内具有开口；位于所述开口底部的功函数层；位于所述功函数层上的第一导电层，所述第一导电层内具有掺杂离子，且所述掺杂离子具有第一浓度；位于所述第一导电层上的第二导电层，所述第二导电层内具有掺杂离子，所述掺杂离子具有第二浓度，且所述第一浓度小于所述第二浓度。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一导电层和功函数层之间的阻挡层。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料具有第一电阻率，所述第一导电层的材料具有第二电阻率，且所述第二电阻率小于所述第一电阻率。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的材料具有第三电阻率，且所述第三电阻率小于所述第二电阻率。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂离子包括氟离子。6.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二浓度的范围为0.1％至10％，所述第一浓度的范围为0至0.1％。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括：钨及钨的化合物。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的材料包括：钨及钨的化合物。9.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氮化钛、氮化钽或者钛硅氮化合物。10.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，沿垂直于开口侧壁方向上，所述开口的尺寸范围为15纳米至25纳米。11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为10埃至40埃。12.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的厚度范围为10埃至40埃。13.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电层的厚度范围为0埃至200埃。14.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，当所述半导体结构为P型器件时，所述功函数层的材料包括：TiN、TaN、TiAl、TiAlC、TaAlN、TiAlN、TaCN和AlN中的一种或多种组合；所述功函数层的厚度范围为50埃至100埃。15.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，当所述半导体结构为N型器件时，所述功函数层的材料包括：TiN、TaN、TiAl、TiAlC、TaAlN、TiAlN、TaCN和AlN中的一种或多种组合；所述功函数层的厚度范围为20埃至60埃。16.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功函数层还位于所述开口侧壁表面。17.一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵琼洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：