【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物基半导体装置以及制造其的方法
[0001]本专利技术总体上涉及一种氮化物基半导体装置。更具体来说，本专利技术涉及一种具有堆叠的栅极电极结构的氮化物基半导体装置。
技术介绍
[0002]近年来，关于高电子迁移率晶体管(HEMT)的深入研究已经非常普遍，尤其对于高功率切换和高频率应用。III族氮化物基HHMT利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成量子阱类结构，所述量子阱类结构适应二维电子气(2DEG)区，从而满足高功率/频率装置的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的装置的实例还包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一个方面，提供一种氮化物基半导体装置。氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源极电极和漏极电极、第一栅极电极和第二栅极电极。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙。源极电极和漏极电极安置在第二氮化物基半导体...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物基半导体装置，其特征在于，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其安置在所述第一氮化物基半导体层上且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；源极电极和漏极电极，其安置在所述第二氮化物基半导体层上方；第一栅极电极，其安置在所述第二氮化物基半导体层上方以及所述源极电极与所述漏极电极之间，并且所述第一栅极电极包括：第一栅极底部部分；以及第一栅极顶部部分，其位于所述第一栅极底部部分上方且比所述第一栅极底部部分宽；以及第二栅极电极，其安置在所述第一栅极电极上方以及所述源极电极与所述漏极电极之间，并且所述第二栅极电极包括：第二栅极底部部分，其与所述第一栅极底部部分接触；以及第二栅极顶部部分，其位于所述第二栅极底部部分上方并且比所述第二栅极底部部分宽。2.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极电极进一步包括在所述第一栅极底部部分与所述第一栅极顶部部分之间的第一栅极中间部分，并且所述第一栅极中间部分比所述第一栅极底部部分宽。3.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极中间部分比所述第一栅极顶部部分窄。4.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二栅极底部部分与所述第一栅极中间部分具有相同宽度。5.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极顶部部分和所述第二栅极顶部部分具有基本上相同宽度。6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：第一介电层，其从所述源极电极的顶表面延伸到在所述第一栅极顶部部分下方的位置。7.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包围所述第一栅极电极并且在与所述第一栅极电极的界面处形成阶梯式轮廓。8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：第二介电层，其从所述源极电极上方的位置延伸以包围所述第一栅极顶部部分和所述第二栅极底部部分。9.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二介电层具有延伸到所述第一栅极顶部部分与所述第二栅极顶部部分之间的区的部分。10.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二栅极电极比所述第一栅极电极厚。11.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅极底部部分具有比所述第二栅极底部部分的高度小的高度。12.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一栅
极底部部分与所述第二氮化物基半导体层接触。13.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括：p型掺杂的氮化物基半导体层，其安置在所述第二氮化物基半导体层与所述第一栅极电极之间。14.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘阳，张啸，唐军，黃敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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