半导体器件及其制造方法技术

本申请公开一种半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底中形成接触孔；用插塞材料填充接触孔；通过刻蚀插塞材料形成接触插塞；通过刻蚀衬底以使其与接触插塞的侧壁对准而形成沟槽，所述沟槽暴露出接触插塞的侧壁；在接触插塞的暴露侧壁和沟槽的表面上形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成栅电极，所述栅电极部分地填充沟槽。所述栅电极部分地填充沟槽。所述栅电极部分地填充沟槽。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月14日提交的申请号为10
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2020
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0102401的韩国专利申请的 优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开的各种实施例涉及半导体器件及其制造方法，并且更具体地，涉及具有字线 和位线的半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0004]随着半导体器件的集成度越来越高，由字线和位线接触插塞所占的面积正在缩小。 因此，尽管已经提出了各种技术来防止在字线和位线接触插塞之间发生的短路缺陷，但 是仍需要进一步的改进。一种这样的技术采用在字线和位线接触插塞之间形成氧化物膜。

技术实现思路

[0005]本公开的实施例提供了一种具有位线接触插塞和栅极绝缘层的半导体器件以及用 于制造该半导体器件的方法。
[0006]根据本公开的实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成接触孔； 用插塞材料填充接触孔；通过刻蚀插塞材料形成接触插塞；通过刻蚀衬底以使其与接触 插塞的侧壁对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成接触孔；用插塞材料填充所述接触孔；通过刻蚀所述插塞材料形成接触插塞；通过刻蚀所述衬底以使其与所述接触插塞的侧壁对准而形成沟槽，所述沟槽暴露出所述接触插塞的侧壁；在所述接触插塞的暴露侧壁和所述沟槽的表面上形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上形成栅电极，所述栅电极部分地填充所述沟槽。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在用所述插塞材料填充所述接触孔之前，形成覆盖所述接触孔的侧壁的预间隔物；以及使用所述预间隔物使暴露在所述接触孔中的所述衬底进一步凹陷。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述沟槽的步骤包括：通过切割所述预间隔物而形成插塞间隔物，所述插塞间隔物覆盖所述接触插塞的未暴露侧壁。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述插塞间隔物还包括位于所述沟槽与所述接触插塞的底部边缘之间的底部间隔物。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述底部间隔物具有围绕所述接触插塞的下部外壁的形状。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触插塞和形成所述沟槽的步骤使用一个线型掩模来同时执行。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽包括一对线型沟槽，并且其中：所述一对线型沟槽与所述接触插塞的所述暴露侧壁自对准。8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触孔的步骤包括：在所述衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成刻蚀掩模；以及使用所述刻蚀掩模来刻蚀所述层间绝缘层和所述衬底。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底中形成所述接触孔之前，形成在所述衬底中限定有源区域的元件隔离层，其中所述沟槽具有与所述有源区域和所述元件隔离层交叉的线状。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟槽的底表面处于比所述接触插塞的底表面低的水平处。11.根据权利要求1所述的方法，其中，通过氧化所述接触插塞的所述暴露侧壁和所述沟槽的表面而形成所述栅极绝缘层。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触插塞的顶部部分的宽度与所述接触插塞的底部部分的宽度相同。13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触插塞的顶部部分的宽度大于所述接触插塞的底部部分的宽度。14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接触插塞的所述暴露侧壁具有直线轮廓，并且其中，所述接触插塞的未暴露侧壁具有弯曲或弧形的轮廓。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述插塞材料包括多晶硅。16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅电极的顶表面处于比所述接触插塞的底表面低的水平处。17.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成接触孔；形成填充所述接触孔的插塞材料；通过刻蚀所述插塞材料而形成位线接触插塞；通过刻蚀所述衬底以使其与所述位线接触插塞的侧壁自对准而形成栅极沟槽，所述栅极沟槽暴露出所述位线接触插塞的侧壁；形成填充所述栅极沟槽的掩埋式栅极结构；以及在所述位线接触插塞上形成位线。18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述掩埋式栅极结构的步骤包括：通过氧化所述位线接触插塞的暴露侧壁和所述栅极沟槽的表面而形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上形成掩埋式栅电极，使得所述掩埋式栅电极部分地填充所述栅极沟槽。19.根据权利要求17所述的方法，还包括：在形成所述插塞材料之前，形成覆盖所述接触孔的侧壁的预间隔物；以及使用所述预间隔物使暴露在所述接触孔中的所述衬底进一步凹陷，其中，形成所述栅极沟槽的步骤包括：通过切割所述预间隔物而形成插塞间隔物，所述插塞间隔物覆盖所述位线接触插塞的未暴露侧壁。20.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述接触孔的步骤包括：在所述衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成刻蚀掩模；以及使用所述刻蚀掩模来刻蚀所述层间绝缘层和所述衬底。21.一种半导体器件，包括：衬底；位线接触插塞，其位于所述衬底中...

【专利技术属性】
技术研发人员：千宰协，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：