半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有导电结构；依次层叠的第一下电极和第二下电极，所述第一下电极位于所述第二下电极和所述基底之间，所述第一下电极呈柱状，所述第二下电极呈凹槽状，所述第一下电极与所述导电结构电连接；第一介电层和第一上电极，所述第一介电层覆盖所述第一下电极的侧壁表面，所述第一上电极位于所述第一介电层远离所述第一下电极的一侧；第二介电层和第二上电极，所述第二介电层覆盖所述第二下电极的内壁和底面，所述第二上电极填充于所述第二下电极的凹槽内。本发明专利技术提供了一种新的电容结构，有利于提高单个电容结构的电容值。电容结构的电容值。电容结构的电容值。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体结构尺寸微缩，要增大单个电容结构的电容值或保持单个电容的电容值变得越来越困难。在使用同一介电层材料时，只有增加电极板表面积或减薄介电层厚度才能实现电容值的增加，但是后者可能会导致漏电流过高的问题。
[0003]因此，改变电容结构以增加电极板表面积，是当前增大电容结构的电容值的重要发展方向。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，有利于提高单个电容结构的电容值。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底内具有导电结构；依次层叠的第一下电极和第二下电极，所述第一下电极位于所述第二下电极和所述基底之间，所述第一下电极呈柱状，所述第二下电极呈凹槽状，所述第一下电极与所述导电结构电连接；第一介电层和第一上电极，所述第一介电层覆盖所述第一下电极的侧壁表面，所述第一上电极位于所述第一介电层远离所述第一下电极的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有导电结构；依次层叠的第一下电极和第二下电极，所述第一下电极位于所述第二下电极和所述基底之间，所述第一下电极呈柱状，所述第二下电极呈凹槽状，所述第一下电极与所述导电结构电连接；第一介电层和第一上电极，所述第一介电层覆盖所述第一下电极的侧壁表面，所述第一上电极位于所述第一介电层远离所述第一下电极的一侧；第二介电层和第二上电极，所述第二介电层覆盖所述第二下电极的内壁和底面，所述第二上电极填充于所述第二下电极的凹槽内。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述基底表面的方向上，所述第一下电极的顶面的正投影位于所述第二下电极的底面的正投影内。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：支撑层，所述支撑层位于相邻所述第一下电极之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层包括第一支撑层和第二支撑层，所述第一支撑层位于所述第一下电极底部之间，所述第二支撑层位于所述第一下电极顶部之间。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑层还包括第三支撑层，所述第三支撑层位于所述第二下电极底部之间，所述第三支撑层用于支撑所述第二下电极。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第二下电极底部之间的所述第三支撑层沿所述基底表面方向上的尺寸小于相邻所述第一下电极顶部之间的所述第二支撑层沿所述基底表面方向上的尺寸。7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，相邻所述第二下电极底部之间的所述第三支撑层沿所述基底表面方向上的尺寸相同；所述第一下电极顶部之间的所述第二支撑层沿所述基底表面方向上的尺寸不同。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，沿所述基底表面方向上的尺寸较大的所述第一下电极顶部之间的所述第二支撑层与其下方的所述第一上电极直接接触；沿所述基底表面方向上的尺寸较小的所述第一下电极顶部之间的所述第二支撑层与其下方的所述第一介电层直接接触。9.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，部分所述第二支撑层与所述第三支撑层为一体化结构。10.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层包覆所述第一上电极，且所述第一介电层具有暴露所述第一上电极的过孔；所述支撑层具有回填部，所述回填部填充所述过孔。11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一上电极位于相邻所述第一介电层之间，所述第一上电极内具有第一空隙。12.根据权利要求1-11任一所述的半导体结构，其特征在于，还包括：隔离层，所述隔离层位于相邻所述第二下电极之间，且所述隔离层内具有第二空隙。13.一种半导体结构的制作方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱柄宇，洪海涵，余崟魁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：