一种化合物半导体通孔结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造的技术领域，公开了一种化合物半导体通孔结构及其制造方法。所述化合物半导体通孔结构包括：半导体基底；设置于所述半导体基底上的接触窗；设置于所述接触窗内的第一金属层；覆盖于所述第一表面、所述接触窗和所述第一金属层上的绝缘层；垂直设置于第一金属层上并贯穿于绝缘层的通孔，设置于所述通孔内并与第一金属层导电连接的导电层，设置于绝缘层和导电层之间的附着层；通过在导电层上设置至少一个第二金属层并导电连接导电层，形成低电阻通路。形成低电阻通路。形成低电阻通路。

【技术实现步骤摘要】
一种化合物半导体通孔结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造的
，尤其涉及一种化合物半导体通孔结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在原有化合物半导体制造业中，通常以溅镀金属工艺淀积金属层和以填充回流物质加以高温回流平坦工艺去除因为前期工艺产生的高低台阶落差来制造半导体器件，但是，传统的溅镀金属工艺和填充回流物质加以高温回流平坦工艺会有以下五个弊端：一、在溅镀金属工艺淀积金属层时，易造成芯片表面晶格受损导致阻抗提高；二、溅镀的金属层为铝镍合金层，其阻抗高，进一步增大了器件的阻抗；三、平坦度无法达到完全平坦，易造成器件间的桥接漏电；四、回流物含有挥发物，在工艺过程易产生气源污染而导致器件有缺陷；五、填充回流物质加以高温回流平坦工艺有其工艺极限，无法器件持续缩小化。
[0003]在现有技术中，半导体器件阻抗较大且不平坦，降低器件工作效率和易造成器件间的桥接漏电。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于解决一种化合物半导体通孔结构及其制造方法，旨在解决高电阻且不平坦的问题。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化合物半导体通孔结构，其特征在于，所述通孔结构包括：半导体基底，所述半导体基底包括第一表面和至少一个接触窗，所述接触窗均设置于所述第一表面上；第一金属层，所述第一金属层设置于所述接触窗内；绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述第一表面、所述接触窗和所述第一金属层上；通孔，所述通孔垂直设置于所述第一金属层上并贯穿于所述绝缘层，所述通孔的截面宽度小于所述第一金属层的截面宽度；附着层，所述附着层贴合设置于所述通孔的内壁上，所述附着层为空心结构；导电层，所述导电层设置于所述附着层的空心内并与所述第一金属层导电连接，所述导电层的高度等于对应所述通孔的高度，所述导电层的表面、所述附着层的表面和所述绝缘层的表面处于同一水平面上。2.根据权利要求1所述化合物半导体通孔结构，其特征在于，所述附着层为氮化钛层。3.根据权利要求1所述化合物半导体通孔结构，其特征在于，所述通孔结构还包括至少一个第二金属层，所述第二金属层覆盖所述通孔设置于所述绝缘层上，并与所述导电层连接。4.根据权利要求3所述化合物半导体通孔结构，其特征在于，所述导电层为钨金属层。5.根据权利要求1
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4任一项所述化合物半导体通孔结构，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层覆盖于所述第一表面、所述接触窗和所述第一金属层上，所述第二绝缘层层叠设置于所述第一绝缘层上。6.一种化合物半导体通孔结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底的第一表面上设置至少一个接触窗；在所述接触窗上方形成一第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈正培，柴佳欣，徐文凯，
申请(专利权)人：深圳镓芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：