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本发明涉及半导体制造的技术领域，公开了一种化合物半导体通孔结构及其制造方法。所述化合物半导体通孔结构包括：半导体基底；设置于所述半导体基底上的接触窗；设置于所述接触窗内的第一金属层；覆盖于所述第一表面、所述接触窗和所述第一金属层上的绝缘层；...
该专利属于深圳镓芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳镓芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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