一种半导体长晶设备供气系统以及长晶实验厂房技术方案

本技术公开了一种半导体长晶设备供气系统以及长晶实验厂房，包括：长晶炉体模块、智能加热模块、支架模块、辅热器皿模块、金属颗粒过滤模块、球阀二级减压模块、工业气体供应模块，长晶炉体模块用于实现系统的控制功能，智能加热模块用于对原材料加热来实现晶体生长；长晶炉体模块自下而上托举智能加热模块，智能加热模块设于长晶炉体模块的顶端，智能加热模块连通金属颗粒过滤模块，金属颗粒过滤模块连接球阀二级减压模块，球阀二级减压模块连接工业气体供应模块。本申请的有益效果为，一方面能够实现气体流量、压力、纯度、混合比例等参数的精密控制，另一方面可以确保气体输送管道清洁且无泄漏，进而满足半导体长晶的工艺需求。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体长晶领域，尤其涉及一种半导体长晶设备供气系统以及长晶实验厂房。

技术介绍

1、在半导体芯片产业中，半导体长晶设备扮演着十分重要的角色，长晶设备的工作过程需要供气系统的支持，以创建并维持特定的生长环境，控制化学反应，精准管理温度，并最终保障工艺稳定性和产品良率。

2、在实际进行长晶实验环境搭建的过程中，因气体供应波动导致的工艺参数变化，会给半导体长晶的工艺过程带来一定风险，不利于提高晶圆的良品率。具体而言，工程师对气体流量、压力、纯度、混合比例等参数，都需要进行精密控制；此外对气体输送管道的清洁度和无泄漏情况，也有严格的要求。因此，行业内需要设计出一种半导体长晶设备供气系统，以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本技术所要解决的技术问题是：如何设计出一种供气方案，一方面能够实现气体流量、压力、纯度、混合比例等参数的精密控制，另一方面可以确保气体输送管道清洁且无泄漏，进而满足半导体长晶的工艺需求。

2、因此，为解决上述问题，本技术实施例提出一种半导体长晶设备供气系统以及长本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体长晶设备供气系统，其特征在于，所述半导体长晶设备供气系统包括：

2.根据权利要求1所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

5.根据权利要求4所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

6.一种长晶实验厂房，其特征在于：

7.根据权利要求6所述的长晶实验厂房，其特征在于：

8.根据权利要求7所述的长晶实验厂房，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种半导体长晶设备供气系统，其特征在于，所述半导体长晶设备供气系统包括：

2.根据权利要求1所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的半导体长晶设备供气系统，其特征在于：

4.根据权利要求3所述的半导体长晶设...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐山河，柴佳欣，赵仁瑞，
申请(专利权)人：深圳镓芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：