温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有导电结构；依次层叠的第一下电极和第二下电极，所述第一下电极位于所述第二下电极和所述基底之间，所述第一下电极呈柱状，所述第二下电极呈凹槽状，所述第一下电极与所述导...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。