一种宽幅银箔制作方法技术

本发明专利技术公开了一种宽幅银箔制作方法,本发明专利技术在银箔制作过程中将单次轧制分隔为两次退火与两次轧制工序，其与单次加工相比，不但降低了每次加工过程中的工作量，同时通过两次退火处理能够有效保证银箔的温度，进而确保轧制过程中银箔处于稳定的状态，提高银箔的加工高质量；且两次轧制过程中方便工作人员根据实际加工过程的测量结果进行调整，进而确保银箔的质量；本发明专利技术具有工序简单，操作方便，且银箔厚度小等优点。度小等优点。度小等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种宽幅银箔制作方法


[0001]本专利技术涉及银箔制作工艺
，具体涉及一种宽幅银箔制作方法。

技术介绍

[0002]纯银具有很好的延展性，其导电性和传热性在所有的金属中都是最高的。银常用来制作灵敏度极高的物理仪器元件，各种自动化装置、火箭、潜水艇、计算机、核装置以及通讯系统。
[0003]由于银的价格较高，为了降低银的使用成本，一般将银加工成银箔，现有技术中常用机械设备轧制银箔的方法只能生产幅宽160mm以下、厚度50um以上的纯银箔带。由于轧制过程每阶段道次多，轧制次数较多，导致工序复杂；另外需要实施多次无氧真空退火，由此导致银箔幅宽受限、箔带厚度偏厚、成品率低，单位面积箔材耗材高，提高了生产成本，限制了银箔带材的工业化生产应用。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的加工困难，质量差的缺陷，本专利技术公开了一种宽幅银箔制作方法，采用本专利技术所述方法能够快速提高宽幅银箔的制作效率，提高产品质量。
[0005]一种宽幅银箔制作方法，包括以下步骤：
[0006]S1、对需要压制的银箔进行清洗；
[0007]S2、对步骤S1清洗后的银箔进行水平退火至全软状态；
[0008]S3、通过分条机对步骤S2所述银箔进行切边；然后通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔的厚度为6
‑
8μm；
[0009]S4、清洗步骤S3所述银箔，然后对清洗过的银箔进行二次退火至全软状态；
[0010]S5、通过分条机对步骤S4中所述银箔进行二次切边，再通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔厚度为4
‑
5μm；
[0011]S6、对步骤S5所述银箔进行清洗和防氧化处理；
[0012]优选的，步骤S2中退火温度为300
‑
600℃，退火速度为1
‑
10m/min；所述步骤S4中二次退火温度为300
‑
600℃，退火速度为1
‑
20m/min。
[0013]优选的，步骤S3中，银箔的道次加工率为10％
‑
15％，轧制道次为2
‑
3个，轧制速度为10
‑
50m/min，总道次加工率为30％。
[0014]优选的，步骤S5中，银箔的道次加工率为10％
‑
15％，轧制道次为2
‑
3个，轧制速度为10
‑
100m/min，总道次加工率为20％
‑
30％。
[0015]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0016]1、本专利技术在银箔制作过程中单次加压分隔为两次退火与两次挤压工序，其与单次加工相比，不但降低了每次加工过程中的工作量，同时通过两次退火处理能够有效保证银箔的温度，进而确保轧制过程中银箔处于稳定的状态，提高银箔的加工高质量；且两次轧制还能够方便工作人员根据加工过程进行调整，进而确保银箔的质量。
[0017]其次，采用本专利技术所述方法能够进一步降低银箔的厚度，其最大厚度在1
‑
5μm，从而降低单位面积的银含量，进而降低银箔的使用成本，有利于银箔的推广应用。
[0018]同时由于在金属物质中，银是最好的电和热的导体，对于部分在延展性、散热与导电性要求极高的科技领域中有其不可取代的地位，像电子、IT、LED照明、特种电缆、航空航天等领域，本专利技术所述的银箔有着广阔的应用前景；同时其也可以广泛使用在民用家居装潢、工艺品等产业。
附图说明
[0019]图1为本专利技术工作流程图；
具体实施方式
[0020]下面将通过具体实施方式对本专利技术做进一步说明：
[0021]实施方式1
[0022]本实施方式作为本专利技术的基本实施方式，其公开了一种一体式圈铁耳机制作方法，具体包括以下步骤：
[0023]S1、对需要压制的银箔进行清洗；
[0024]S2、对步骤S1清洗后的银箔进行水平退火至全软状态，退火温度为300℃，退火速度为1m/min；
[0025]S3、通过分条机对步骤S2所述银箔进行切边；然后通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔的厚度为8μm，其中银箔的道次加工率为10％，轧制道次为2个，轧制速度为10m/min，总道次加工率为30％；
[0026]S4、清洗步骤S3所述银箔，然后对清洗过的银箔进行二次退火至全软状态；所述二次退火温度为300℃，退火速度为1m/min；
[0027]S5、通过分条机对步骤S4中所述银箔进行二次切边，再通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔厚度为4μm；其中银箔的道次加工率为10％，轧制道次为2个，轧制速度为10m/min，总道次加工率为20％％；
[0028]S6、对步骤S5所述银箔进行清洗和防氧化处理；
[0029]实施方式2
[0030]本实施方式作为本专利技术的基本实施方式，其公开了一种一体式圈铁耳机制作方法，具体包括以下步骤：
[0031]S1、对需要压制的银箔进行清洗；
[0032]S2、对步骤S1清洗后的银箔进行水平退火至全软状态，退火温度为600℃，退火速度为10m/min；
[0033]S3、通过分条机对步骤S2所述银箔进行切边；然后通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔的厚度为8μm，其中银箔的道次加工率为15％，轧制道次为3个，轧制速度为50m/min，总道次加工率为30％；
[0034]S4、清洗步骤S3所述银箔，然后对清洗过的银箔进行二次退火至全软状态；所述二次退火温度为600℃，退火速度为20m/min；
[0035]S5、通过分条机对步骤S4中所述银箔进行二次切边，再通过轧机对银箔进行轧制，
完成轧制后银箔厚度为5μm；其中银箔的道次加工率为15％，轧制道次为3个，轧制速度为100m/min，总道次加工率为30％；
[0036]S6、对步骤S5所述银箔进行清洗和防氧化处理；
[0037]实施方式3
[0038]本实施方式作为本专利技术的基本实施方式，其公开了一种一体式圈铁耳机制作方法，具体包括以下步骤：
[0039]S1、对需要压制的银箔进行清洗；
[0040]S2、对步骤S1清洗后的银箔进行水平退火至全软状态，退火温度为450℃，退火速度为5m/min；
[0041]S3、通过分条机对步骤S2所述银箔进行切边；然后通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔的厚度为7μm，其中银箔的道次加工率为12％，轧制道次为2
‑
个，轧制速度为35m/min，总道次加工率为30％；
[0042]S4、清洗步骤S3所述银箔，然后对清洗过的银箔进行二次退火至全软状态；所述二次退火温度为450℃，退火速度为10m/min；
[0043]S5、通过分条机对步骤S4中所述银箔进行二次切边，再通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔厚度为4μm；其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽幅银箔制作方法，包括以下步骤：S1、对需要压制的银箔进行清洗；S2、对步骤S1清洗后的银箔进行水平退火至全软状态；S3、通过分条机对步骤S2所述银箔进行切边；然后通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔的厚度为6
‑
8μm；S4、清洗步骤S3所述银箔，然后对清洗过的银箔进行二次退火至全软状态；S5、通过分条机对步骤S4中所述银箔进行二次切边，再通过轧机对银箔进行轧制，完成轧制后银箔厚度为4
‑
5μm；S6、对步骤S5所述银箔进行清洗和防氧化处理；2.根据权利要求2所述的一种宽幅银箔制作方法，其特征在于：所述步骤S2中退火温度为300
‑
600℃，退火速度为1
‑
10m/min；所述步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜全兵，
申请(专利权)人：深圳市中金新材实业有限公司，
类型：发明
国别省市：