非易失性半导体存储器件制造技术

本发明专利技术的存储单元(10)包括：在半导体衬底的p阱(11)的表面夹着沟道区域(12)形成的漏极区域(13)和源极区域(14)；以覆盖沟道区域(12)的方式形成的绝缘膜(15)；形成在绝缘膜(15)上的栅极(16)；以位于栅极(16)的侧面且在沟道区域(12)的正上方的方式形成的侧墙(17)；以覆盖漏极区域(13)、源极区域(14)的一部分、栅极(16)和侧墙(17)的方式形成的自对准硅化物阻挡膜(18)；形成在从自对准硅化物阻挡膜(18)和自对准硅化物阻挡膜(18)露出的漏极区域(13)和源极区域(14)中的漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)；和以覆盖自对准硅化物阻挡膜(18)、漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)的方式形成的氮化膜(19)。(19)。(19)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性半导体存储器件


[0001]本专利技术涉及侧壁电荷陷阱型的非易失性半导体存储器件。

技术介绍

[0002]现有技术中，提供一种使用通过CMOS的制造工艺所制造的MOS晶体管的栅极的侧壁捕获电荷的侧壁电荷陷阱型，能够进行一次写入(OTP：one time programmable)或者能够多次写入(MTP：multi time programmable)的非易失性半导体存储器件(例如参照非专利文献1)。
[0003]图1是表示现有的侧壁电荷陷阱型中OTP或者MTP的非易失性半导体存储器件的存储单元110的构造的一例的截面图。存储单元110形成在衬底的p阱111，在覆盖被漏极区域113和源极区域114夹着的沟道区域112的绝缘膜115上形成栅极116，在栅极116的侧面且沟道区域112的正上方，隔着也在栅极116的侧面延伸的绝缘膜115形成由氮化物形成的侧墙117。在栅极116的上表面、漏极区域113和源极区域114的表面分别形成有自对准硅化物(Salicide)层120。以覆盖栅极116和侧墙117，且也在漏极区域113和源极区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：在半导体衬底的表面形成有1个以上的存储单元，所述存储单元包括：以夹着沟道区域的方式形成的源极区域和漏极区域；以覆盖所述沟道区域的方式形成的绝缘膜；形成在所述绝缘膜上的栅极；侧墙，其以位于所述沟道区域的正上方的方式形成于所述栅极的侧面；自对准硅化物阻挡膜，其以覆盖所述源极区域和所述漏极区域的一部分，以及所述栅极和所述侧墙的方式形成；自对准硅化物层，其形成于所述自对准硅化物阻挡膜和从所述自对准硅化物阻挡膜露出的所述源极区域和所述漏极区域；和氮化膜，其以覆盖所述自对准硅化物阻挡膜和所述自对准硅化物层的方式形成。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：所述自对准硅化物阻挡膜是膜厚形成为50nm以上的氧化膜。3.如权利要求1或2所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：还包括形成在所述自对准硅化物阻挡膜的外侧且所述自对准硅化物层的正上方的触点。4.如权利要求1～3中任一项所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎忠行，林泰伸，清水吾朗，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：