一种高频高效驱动电路的大功率输出级制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高频高效驱动电路的大功率输出级，属于电源电路技术领域，包含栅极电压VH、栅极电压VL、开关管MH、开关管ML、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电感L、输入电压电压VIN，本实用新型专利技术有助于驱动电路高频性能的提升，本实用新型专利技术的驱动电路的输出级是由两个氮化镓增强型NMOS器件和低内阻电感电容滤波模块共同组成的由于氮化镓器件的独有特性使得整体驱动波形的工作频率增加,低内阻电感电容滤波模块在完成滤波基础上能够保证引入很小的损耗。基础上能够保证引入很小的损耗。基础上能够保证引入很小的损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种高频高效驱动电路的大功率输出级


[0001]本技术涉及氮化镓电源模块
，尤其涉及一种高频高效驱动电路的大功率输出级。

技术介绍

[0002]功率器件栅极驱动电路是电源模块的重要组成部分，在电源转换和能量获取领域起着关键的作用，功率器件栅极驱动电路被广泛用于汽车电子、移动快充、通信基站等领域。栅极驱动电路作为电源模块的基础部分，其速度和功耗将直接影响电路的整体性能。电源模块产生系统损耗的原因有很多，一是驱动电路死区时间设置不当，导致功率器件 同时承受高电流和高电压，二是功率器件栅极充电损耗，由于传统功率半导体器件栅极的输入电容较大，充放电产生动态功耗，导致驱动开关的损耗提升，三是传统功率半导体器件具有体二极管，二极管导通的时间越长，其传导和反向恢复损耗便越高大。
[0003]电源模块高效特性的实现依赖于高性能功率半导体器件，传统的功率半导体器件导通电阻和栅极电荷均比较大，且工作频率有限，近年来第三代半导体材料得到飞速发展，其中，氮化镓高电子迁移率器件是第三代半导体的主要代表，由于氮化镓器件拥有导通电阻小，承受电压高，工作频率高等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频高效驱动电路的大功率输出级，其特征在于：包含栅极电压VH、栅极电压VL、开关管MH、开关管ML、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电感L、输入电压电压VIN，栅极电压VH连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端分别连接开关管ML的栅极、电容C1的一端和电容C2的一端，电容C1的另一端分别连接电容C5的一端、开关管ML的漏极和输入电压电压VIN，电容C5的另一端分别连接电容C2的另一端、开关管ML的源极、电感L的一端、电容C6的一端、电容C3的一端、开关管ML的漏极，电容C3的另一端分别连接电阻R2的一端、开关管ML的栅极和电容C4的一端，电阻R2的另一端连接栅极电压VL，电容C4的另一端分别连接开关管ML的源极、电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彬，
申请(专利权)人：陈彬，
类型：新型
国别省市：