用于清洗半导体晶片的喷淋装置及喷淋阵列制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，包括：左喷水件，右喷水件，以及半导体晶片夹具。当所述半导体晶片夹具上装夹有半导体晶片时，所述左喷水件和所述右喷水件的喷水面积将覆盖所述半导体晶片的整个正面和整个背面，以及所述半导体晶片与所述半导体晶片夹具的接触部位。所述用于清洗半导体晶片的喷淋装置的清洗效果好，解决了表面残留的技术问题。本实用新型专利技术还涉及一种用于清洗半导体晶片的喷淋阵列，所述喷淋阵列是所述喷淋装置的特定实施方式，其能在新增部件数量较少的情况下同时清洗多个半导体晶片。量较少的情况下同时清洗多个半导体晶片。量较少的情况下同时清洗多个半导体晶片。

【技术实现步骤摘要】
用于清洗半导体晶片的喷淋装置及喷淋阵列


[0001]本技术涉及一种用于清洗半导体晶片的喷淋装置，并且涉及一种能够同时清洗多片半导体晶片的喷淋阵列。

技术介绍

[0002]在半导体晶片生产行业中，半导体晶片清洗是加工过程中的关键步骤之一。现有技术中常见的清洗方式为手工单片清洗，即操作人员先将半导体晶片放置到半导体晶片夹具上，然后按清洗工艺要求，依次进行化学药品处理，紧接着用去离子水清除半导体晶片表面的残留化学药品。在上述整个清洗过程中，需要操作人员手动地控制水枪开关来控制水流大小，完成对半导体晶片正面、背面、夹具角落等部位的冲洗，从而清除任何残留的化学药品和粘附的颗粒。但是，现有的冲水水枪具有喷水面积小、出水不均匀的缺点。此外，使用冲水水枪手工单片清洗意味着，冲洗的效果与员工扳动开关的大小以及水流和半导体晶片之间的相对关系高度相关。特别是半导体晶片与半导体晶片夹具的接触部位通常难以得到充分的清洗，操作稍有不慎就会出现表面残留，并且最终导致半导体表面出现水纹、边缘白斑等缺陷。另外，使用冲水水枪手工单片清洗还意味着，操作人员的操作手法会对清洗效果产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，包括：左喷水件，右喷水件，以及半导体晶片夹具；所述左喷水件设置在左侧并且能够朝向右喷水，所述右喷水件设置在右侧并且能够朝向左喷水，所述左喷水件和所述右喷水件相对设置，所述半导体晶片夹具设置在所述左喷水件和所述右喷水件之间；当所述半导体晶片夹具上装夹有半导体晶片时，所述左喷水件和所述右喷水件的喷水面积将覆盖所述半导体晶片的整个正面和整个背面，以及所述半导体晶片与所述半导体晶片夹具的接触部位。2.根据权利要求1所述的用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，所述左喷水件和所述右喷水件的下方分别地设置有喷水件基座，所述喷水件基座与所述左喷水件或所述右喷水件可拆卸的连接，并且使所述左喷水件和所述右喷水件的几何中心与所述半导体晶片夹具上装夹的半导体晶片同心。3.根据权利要求2所述的用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，所述左喷水件和所述右喷水件的几何形状完全相同，所述左喷水件和所述右喷水件均包括圆柱体主体、喷水面、供水接口以及供水通道，所述圆柱体主体以侧面与地面平行的方式固定，所述圆柱体主体的一个圆形面设置有所述喷水面，所述喷水面上设置有出水孔，所述圆柱体主体的另一个圆形面设置有所述供水接口，所述圆柱体主体的内部设置有所述供水通道，所述供水通道将所述供水接口与所述出水孔相连。4.根据权利要求3所述的用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，所述圆柱体主体的侧面设置有固定螺钉，所述固定螺钉将所述圆柱体主体与所述喷水件基座螺纹连接。5.根据权利要求4所述的用于清洗半导体晶片的喷淋装置，其特征在于，所述出水孔包括多个出水孔组，每个所述出水孔组包括呈圆形排列的多个孔，所述出水孔组在所述喷水面的周向上均匀地布置。6.一种用于清洗半导体晶片的喷淋阵列，其特征在于，包括：左喷水件，右喷水件，至少一个中间喷水件，以及两个或更多个半导体晶片夹具；所述左喷水件能够朝向右喷水，所述右喷水件能够朝向左喷水，所述中间喷水件能够同时向左和向右喷水；整个所述喷淋阵列一字型排开，所述左喷水件在所述喷淋阵列在最左端，所述右喷水件在所述喷淋阵列的最右端，所述中间喷水件设置在所述左喷水件和所述右喷水件之间；在所述喷淋阵列中，相邻的喷水件之间的距离相等，并且所述相邻的喷水件之间设置有单个所述半导体晶片夹具，因此，所述半导体晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建利，洪庆福，任殿胜，史铎鹏，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：