包括具有外绝缘层的基板的半导体封装制造技术

一种半导体封装，可以包括：基板和在基板上的半导体芯片。基板可以包括：内绝缘层；再分布层，在内绝缘层中；外绝缘层，在内绝缘层上；连接焊盘，设置在外绝缘层中并且电连接到再分布层；以及，接地电极，在外绝缘层中。连接焊盘的顶表面可以通过外绝缘层的顶表面暴露，并且连接焊盘的顶表面的高度可以低于外绝缘层的顶表面的高度。接地电极的底表面的高度可以高于再分布层的顶表面的高度，并且外绝缘层覆盖接地电极的顶表面。接地电极的顶表面。接地电极的顶表面。

【技术实现步骤摘要】
包括具有外绝缘层的基板的半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年9月11日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
‑
2020
‑
0117172的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。


[0003]本公开涉及半导体封装，具体涉及其中设置有具有外绝缘层的基板的半导体封装。

技术介绍

[0004]半导体封装被配置为允许集成电路芯片被容易地用作电子产品的一部分。通常，半导体封装包括诸如印刷电路板(PCB)和/或再分布层(RDL)之类的基板、以及安装在其上的半导体芯片。每个半导体封装中安装有多个半导体芯片。半导体芯片被配置为具有各种功能。例如，可以将多个存储器芯片和至少一个逻辑芯片安装在一个基板上。存储器芯片通过硅通孔(TSV)彼此电连接，并且被设置为具有堆叠的形状。这种类型的半导体封装可以被称为“2.5D封装”。由于半导体封装的输入/输出端子的数量已经增多，半导体封装的尺寸也已经增大。因此，用于减小半导体封装的尺寸的技术会变得重要。r/>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：基板；以及半导体芯片，在所述基板上；其中，所述基板包括：内绝缘层，再分布层，在所述内绝缘层中；外绝缘层，在所述内绝缘层上；连接焊盘，设置在所述外绝缘层中并且电连接到所述再分布层；以及接地电极，在所述外绝缘层中，其中，所述连接焊盘的顶表面通过所述外绝缘层的顶表面暴露，其中，所述连接焊盘的顶表面的高度低于所述外绝缘层的顶表面的高度，其中，所述接地电极的底表面的高度高于所述再分布层的顶表面的高度，并且其中，所述外绝缘层覆盖所述接地电极的顶表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述接地电极的底表面的高度与所述连接焊盘的底表面的高度相同。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述外绝缘层的厚度在从8μm至12μm的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述外绝缘层包括与所述内绝缘层的材料相同的材料。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述接地电极包括与所述连接焊盘的材料相同的材料。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中，所述接地电极包括铜Cu、镍Ni和金Au中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板还包括外连接球，所述外连接球连接到所述基板的与所述外绝缘层的顶表面相对的底表面，其中，所述外连接球包括被接地的接地球，并且其中，所述接地电极电连接到所述接地球。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述半导体芯片包括下焊盘，并且其中，所述半导体封装还包括在所述下焊盘和所述连接焊盘之间的连接端子。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述连接端子包括：柱部，耦接到所述下焊盘的底表面；以及下部球，在所述柱部和所述连接焊盘之间。10.根据权利要求8所述的半导体封装，其中，所述连接端子的一部分位于比所述外绝缘层的顶表面的高度低的高度处。11.一种半导体封装，包括：基板；逻辑芯片，在所述基板上；以及高宽带存储器HBM，设置在所述基板上并且与所述逻辑芯片水平地间隔开，其中，所述基板包括：
内绝缘层，再分布层，在所述内绝缘层中；外绝缘层，在所述内绝缘层上；连接焊盘，设置在所述外绝缘层中并且电连接到所述再分布层；以及连接通路，将所述连接焊盘连接到所述再分布层，其中，所述连接焊盘的顶表面通过所述外绝缘层的顶表面暴露，并且其中，所述连接焊盘的顶表面的高度低于所述外绝缘层的顶表面的高度。12.根据权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金应叫，金钟润，全光宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：