晶圆级芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆级芯片封装结构，包括重新布线层、第一焊球、芯片、SMT元件和塑封层；重新布线层包括介质层和金属凸块；第一焊球位于重新布线层的第一表面，且与金属凸块电连接；塑封层位于重新布线层的第二表面；芯片和SMT元件间隔设置于塑封层内，且与金属凸块电连接。本实用新型专利技术将外部芯片和SMT元件包覆在塑封层内，塑封层代替了传统底部填充层应用在晶圆级先进集成封装中，使得封装出的器件结构层减少，不仅可同时满足不同元器件塑封需求，又可以使得器件的封装工艺简化，降低器件的封装成本，且使芯片中不同材料结合面减少，有助于提高器件电热性能和传输性能，降低器件失效的风险，提高器件可靠性。提高器件可靠性。提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
晶圆级芯片封装结构


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别涉及后段封装领域，具体涉及一种晶圆级芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的飞速发展，器件集成度日益提高而线宽尺寸日益缩小，给芯片封装带来的挑战越来越大。现有的晶圆级芯片封装技术中，都是在晶圆级芯片上制备出电性引出结构后，再将外部芯片电连接至晶圆级芯片上，之后再通过毛细底部填充技术(Underfill)将外部芯片包覆，即外部芯片位于晶圆级芯片底部的毛细填充层中。这种方式制备流程比较复杂，导致封装成本上升，且因底部填充层的存在导致封装出的器件尺寸偏大和器件散热性能不佳。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种晶圆级芯片封装结构，用于解决现有的晶圆级芯片封装技术中，将外部芯片设置于晶圆级芯片底部的毛细填充层中，因底部填充层的存在导致封装出的器件尺寸偏大和器件散热性能不佳，且因结构层的增加导致器件制备流程复杂、器件制备成本高等问题。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种晶圆级芯片封装结构，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括重新布线层、第一焊球、芯片、SMT元件和塑封层；所述重新布线层具有相对的第一表面和第二表面，所述重新布线层包括介质层和金属凸块；所述第一焊球位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属凸块电连接；所述塑封层位于所述重新布线层的第二表面；所述芯片和SMT元件间隔设置于所述塑封层内，且均与所述金属凸块电连接。2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述介质层内形成有开孔，所述开孔显露出所述金属凸块，所述芯片上设置有第二焊球，所述第二焊球位于所述开孔内，所述芯片经所述第二焊球倒装焊接于所述金属凸块上。3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述开孔的上部开口尺寸大于下部开口尺寸。4.根据权利要求2所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晗，陈彦亨，林正忠，李俊德，伍信桦，薛兴涛，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：