【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法以及图像显示装置
[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法以及图像显示装置。
技术介绍
[0002]期望实现高亮度、宽视角、高对比度、且低功耗的薄型图像显示装置。为了响应上述市场需求，正在开发利用自发光元件的显示装置。
[0003]作为自发光元件，期待出现使用精细发光元件即微型LED的显示装置。作为使用微型LED的显示装置的制造方法，已经介绍将单个形成的微型LED依次转印到驱动电路的方法。然而，当随着成为全高清、4K、8K等高画质、微型LED的元件数增多时，在单个形成大量的微型LED并依次转印到形成有驱动电路等的基板的过程中，转印工序需要大量的时间。此外，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等，出现成品率降低的问题。
[0004]已知如下的技术，即，在Si基板上使包括发光层的半导体层生长，在半导体层形成电极后，使之与形成有驱动电路的电路基板贴合(例如专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，其特征在于，具有：准备使包括发光层的半导体层在第一基板上生长的第二基板的工序；准备第三基板的工序，所述第三基板包括：在透光性基板上形成的包括电路元件的电路、覆盖所述电路的第一绝缘膜、以及包括在所述第一绝缘膜上形成的具有光反射性的部分的导电层；使所述半导体层与所述第三基板贴合的工序；由所述半导体层形成发光元件的工序；形成覆盖所述导电层、所述发光元件及所述第一绝缘膜的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的通孔的工序；经由所述通孔将所述发光元件与所述电路元件电连接的工序；所述发光元件设置在所述部分上，所述部分的外周在俯视下包括在所述部分上投影的所述发光元件的外周。2.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述第三基板还包括在所述透光性基板与所述电路之间进行设置、且具有挠性的第四基板，还具有在使所述半导体层与所述第三基板贴合后除去所述透光性基板的工序。3.如权利要求2所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，透光性基板为玻璃基板。4.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在使所述半导体层与所述第三基板贴合前除去所述第一基板的工序。5.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在使所述半导体层与所述第三基板贴合后除去所述第一基板的工序。6.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有使所述发光元件的与所述第一绝缘膜一侧的面对置的发光面从所述第二绝缘膜露出的工序。7.如权利要求6所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在露出的所述发光面形成透光性电极的工序。8.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板含有硅或蓝宝石。9.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括氮化镓基化合物半导体。10.如权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，其特征在于，还具有在所述发光元件上形成波长转换部件的工序。11.一种图像显示装置，其特征在于，具有：透光性基板，其具有第一面；电路元件，其设置在所述第一面上；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其在所述第一面上覆盖所述电路元件及所述第一配线层；导电层，其包括在所述第一绝缘膜上设置的具有光反射性的部分；
第一发光元件，其设置在所述部分上且与所述部分电连接；第二绝缘膜，其覆盖所述第一发光元件的至少一部分、所述导电层及所述第一绝缘膜；第二配线层，其设置在所述第二绝缘膜上，与所述第一发光元件的包括与所述第一绝缘膜一侧的面对置的发光面在内的面电连接；第一通孔，其贯通所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜，电连接所述第一配线层及所述第二配线层；所述部分的外周在俯视下包括在所述部分上投影的所述第一发光元件的外周。12.如权利要求11所述的图像显示装置，其特征在于，所述透光性基板为玻璃基板。13.一种图像显示装置，其特征在于，具有：基板，其具有第一面且具有挠性；电路元件，其设置在所述第一面上；第一配线层，其与所述电路元件电连接；第一绝缘膜，其在所述第一面上覆盖所述电路元件及所述第一配线层；导电层，其包括在所述第一绝缘膜上设置的具有光反射性的部分；第一发光元件，其设置在所述部分上且与所述部分电连接；第二绝缘膜，其覆盖所述第一发光元件的至少一部分、所述导电层及所述第一绝缘膜；第二配线层，其设置在所述第二绝缘膜上，...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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