半导体模块制造技术

本发明专利技术提供一种能减小半导体开关元件的开关损耗的半导体模块。半导体模块其包括：半导体芯片，该半导体芯片中设有开关元件和连接至所述开关元件的控制电极的控制端子，在所述控制电极与所述控制端子之间的第一电阻具有正的温度系数；以及第二电阻，该第二电阻连接至所述控制端子，并具有负的温度系数，连接至所述控制端子的电阻的合成电阻的温度系数在0以下。以下。以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块


[0001]本专利技术涉及半导体模块。

技术介绍

[0002]在半导体开关元件中，用于尽量避免开关特性受周围温度影响的结构已为公众所知。例如专利文献1中公开了一种使用温度系数为负的温度依赖型电阻元件来作为栅极电阻的半导体开关元件。
[0003]根据这样的结构，即使周围温度上升，也能对应于该温度上升而减小栅极电阻的电阻值。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1：日本专利特开平5
‑
18127号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0005]然而，专利文献1公开的技术中，半导体开关元件的外部电阻的温度系数选择为负，并未考虑从半导体开关元件自身的栅电极到连接了外部电阻的端子为止的内部电阻的温度系数。因此，即使在外部电阻的温度系数为负的情况下，由于内部电阻的温度系数的影响，半导体开关元件的实质性栅极电阻(内部电阻与外部电阻的合成电阻)也有可能为正。这种情况下，会导致半导体开关元件的开关损耗增加。
[0006]本专利技术的目的在于提供一种能够减小半导体开关元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：半导体芯片，该半导体芯片中设有开关元件和连接至所述开关元件的控制电极的控制端子，在所述控制电极与所述控制端子之间的第一电阻具有正的温度系数；以及第二电阻，该第二电阻连接至所述控制端子，并具有负的温度系数，连接至所述控制端子的电阻的合成电阻的温度系数在0以下。2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述合成电阻的温度系数至少在所述半导体模块进行工作的温度范围内为0以下。3.如权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，包括：与所述第二电阻并联连接并具有负的温度系数的第三电阻；以及与所述第三电阻串联连接的第一二极管。4.如权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，包括与所述第二电阻串联连接并且与所述第一二极管反向并联连接的第二二极管。5.如权利要求3所述的半导体模块，其特征在于，包括：设有所述半导体芯片的第一导电图案；以及设有所述第二电阻、所述第三电阻和所述第一二极管的第二导电图案。6.如权利要求4所述的半导体模块，其特征在于，还包括：设有所述半导体芯片的第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩本进，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：