一种单刀双掷射频开关电路制造技术

本发明专利技术涉及一种单刀双掷射频开关电路，其包括接收支路电路及发射支路电路；所述接收支路电路中的第二NMOS管MN2的源极通过第二电容C2与发射支路的天线端ANT连接；所述发射支路电路中的第五NMOS管MN5的源极通过第六电容C6与发射支路的天线端ANT连接；当发射模式使能端TXEN为高电平，接收模式使能端RXEN为低电平，所述发射支路电路导通，接收支路电路截止；当发射模式使能端TXEN为低电平，接收模式使能端RXEN为高电平，接收支路电路导通，发射支路电路截止，由此实现发射支路电路与接收支路电路共用天线端ANT的时分复用。本发明专利技术可以避免射频开关在大功率信号工作条件下出现的隔离度与线性度变差的问题。度与线性度变差的问题。度与线性度变差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种单刀双掷射频开关电路


[0001]本专利技术涉及一种射频开关电路，特别是涉及一种单刀双掷射频开关电路，属于集成电路设计


技术介绍

[0002]近年来随着信息技术的高速发展，无线通信产业也迎来了快速的增长，射频开关是射频无线收发机系统中的关键模块，可以实现对射频信号进行信号流向控制的作用，无论是蓝牙、WIFI设备，还是移动通信设备，几乎每个无线应用相关的产品都需要射频开关的使用，同样的对射频开关提出了更高线性度、更低插入损耗、更高隔离度的要求。
[0003]传统的单刀双掷射频开关如图1所示，发射模式使能端TXEN为高电平接受模式使能端为低电平时，发射支路12导通，接收支路11截止，发射模式使能端TXEN为低电平接受模式使能端为高电平时，发射支路12截止，接收支路11导通；以接收支路11为例，该支路中串联NMOS管MN1的宽长比越大插入损耗越小但隔离度越差，并联NMOS管MN2的宽长比越大插入损耗越大但隔离度越好，通过合理的调整串并联晶体管尺寸来折中插入损耗与隔离度性能，但是当输入射频信号功率过大时，由于电压摆幅过大，在开关闭合状态下并联NMOS管MN2会出现被打开的可能性从而导致信号泄露到地，进而导致开关线性度变差，在开关断开状态下串联NMOS管MN1会出现被打开的可能性导致天线端ANT信号泄露到RX进而导致开关隔离度变差。

技术实现思路

[0004]本专利技术针对传统单刀双掷射频开关会在大功率信号工作条件下出现的隔离度与线性度变差的问题，从而提供了一种单刀双掷射频开关电路，该电路在接收支路与发射支路中的串并联NMOS管的源漏端并入一个电阻，并在NMOS管导通与关断时分别将源漏端电平拉低和拉高，能起到阻塞射频信号的作用，能提高在发射模式与接收模式下射频开关的线性度和隔离度。
[0005]按照本专利技术提供的技术方案：一种单刀双掷射频开关电路，其包括接收支路电路、发射支路电路、发射模式使能端TXEN及接收模式使能端RXEN；所述接收支路电路中的第二NMOS管MN2的源极通过第二电容C2与发射支路的天线端ANT连接；所述发射支路电路中的第五NMOS管MN5的源极通过第六电容C6与发射支路的天线端ANT连接；当发射模式使能端TXEN为高电平，接收模式使能端RXEN为低电平，所述发射支路电路导通，接收支路电路截止；当发射模式使能端TXEN为低电平，接收模式使能端RXEN为高电平，接收支路电路导通，发射支路电路截止，由此实现发射支路电路与接收支路电路共用天线端ANT的时分复用。
[0006]作为本专利技术的进一步改进，所述接收支路电路包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4；
所述第一电阻R1一端分别与第一接收模式使能端RXEN及第二电阻R2一端连接，所述第一电阻R1另一端与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一NMOS管MN1的栅极通过第一电阻R1连接第一接收模式使能端RXEN；第一电容C1一端分别与第三电阻R3一端及第一NMOS管MN1的漏极连接，所述第一电容C1另一端与接收支路的接收端RX连接，第一NMOS管MN1的漏极通过第一电容C1连接接收支路的接收端RX；所述第一NMOS管MN1的漏极通过第三电阻R3连接第一发射模式使能端TXEN；所述第三电阻R3另一端分别与第四电阻R4一端及第五电阻R5一端连接；所述第四电阻R4另一端分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极相连；所述第二电阻R2另一端与所述第二NMOS管MN2的栅极连接，所述第二NMOS管MN2的栅极通过第二电阻R2连接第一接收模式使能端RXEN；所述第二电容C2一端分别与第二NMOS管MN2的源极及所述第五电阻R5另一端连接，所述第二电容C2另一端连接发射支路的天线端ANT，第二NMOS管MN2的漏极通过第四电阻R4连接第一发射模式使能端TXEN；所述第二NMOS管MN2的源极通过第二电容C2与发射支路的天线端ANT连接；所述第二NMOS管MN2的源极通过第五电阻R5连接第一发射模式使能端TXEN；所述第三电容C3一端分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极连接，所述第三电容C3另一端与分别与第七电阻R7一端及第三NMOS管MN3的漏极连接，第七电阻R7另一端分别与第二接收模式使能端RXEN及第八电阻R8一端连接；所述第六电阻R6一端与所述第三NMOS管MN3的栅极连接，第六电阻R6另一端分别与第四电阻R4及第五电阻R5连接，所述第八电阻R8另一端分别与第三NMOS管MN3的源极及第四电容C4连接，所述第三NMOS管MN3的源极通过第八电阻R8连接第二接收模式使能端RXEN连接；第三NMOS管MN3的漏极通过第三电容C3分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极连接；所述第三NMOS管MN3的栅极通过第六电阻R6连接第一发射模式使能端TXEN；第三NMOS管MN3的漏极通过第七电阻R7连接第二接收模式使能端RXEN；第三NMOS管MN3的源极通过第四电容C4接地。
[0007]作为本专利技术的进一步改进， 所述发射支路电路包括第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7及第八电容C8。
[0008]所述第九电阻R9一端分别与第二发射模式使能端TXEN及第十电阻R10一端连接，所述第九电阻R9另一端与所述第四NMOS管MN4的栅极连接，所述第四NMOS管MN4的栅极通过第九电阻R9连接第二发射模式使能端TXEN；第五电容C5一端分别与第十一电阻R11一端及第四NMOS管MN4的漏极连接，所述第五电容C5另一端与发射支路的发射端TX连接，第四NMOS管MN4的漏极通过第五电容C5连接发射支路的发射端TX；所述第四NMOS管MN4的漏极通过第十一电阻R11连接第三接收模式使能端RXEN；所述第十一电阻R11另一端分别与第十二电阻R12一端及第十三电阻R13一端连接；所述第十二电阻R12另一端分别与第五NMOS管MN5的漏极及第四NMOS管MN4的源极相连接；所述第十电阻R10另一端与所述第五NMOS管MN5的栅极连接，所述第五NMOS管MN5的栅极通过第十电阻R10连接第二发射模式使能端TXEN；所述第六电容C6一端分别与第五NMOS管MN5的源极及所述第十三电阻R13另一端连接，所述第六电容C6另一端连接发射支路的天线端ANT，第六电容C6并与所述接收支路电路21中第二电容C2连接；
所述第五NMOS管MN5的漏极通过第十二电阻R12连接第三接收模式使能端RXEN；所述第五NMOS管MN5的源极通过第六电容C6与发射支路的天线端ANT连接；所述第五NMOS管MN5的源极通过第十三电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单刀双掷射频开关电路，其包括接收支路电路（21）、发射支路电路（22）、发射模式使能端TXEN及接收模式使能端RXEN；所述接收支路电路（21）中的第二NMOS管MN2的源极通过第二电容C2与发射支路的天线端ANT连接；所述发射支路电路（22）中的第五NMOS管MN5的源极通过第六电容C6与发射支路的天线端ANT连接；当发射模式使能端TXEN为高电平，接收模式使能端RXEN为低电平，所述发射支路电路（22）导通，接收支路电路（21）截止；当发射模式使能端TXEN为低电平，接收模式使能端RXEN为高电平，接收支路电路（21）导通，发射支路电路（22）截止，由此实现发射支路电路与接收支路电路共用天线端ANT的时分复用。2.如权利要求1所述的一种单刀双掷射频开关电路，其特征是：所述接收支路电路（21）包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3及第四电容C4；所述第一电阻R1一端分别与第一接收模式使能端RXEN及第二电阻R2一端连接，所述第一电阻R1另一端与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一NMOS管MN1的栅极通过第一电阻R1连接第一接收模式使能端RXEN；第一电容C1一端分别与第三电阻R3一端及第一NMOS管MN1的漏极连接，所述第一电容C1另一端与接收支路的接收端RX连接，第一NMOS管MN1的漏极通过第一电容C1连接接收支路的接收端RX；所述第一NMOS管MN1的漏极通过第三电阻R3连接第一发射模式使能端TXEN；所述第三电阻R3另一端分别与第四电阻R4一端及第五电阻R5一端连接；所述第四电阻R4另一端分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极相连；所述第二电阻R2另一端与所述第二NMOS管MN2的栅极连接，所述第二NMOS管MN2的栅极通过第二电阻R2连接第一接收模式使能端RXEN；所述第二电容C2一端分别与第二NMOS管MN2的源极及所述第五电阻R5另一端连接，所述第二电容C2另一端连接发射支路的天线端ANT，第二NMOS管MN2的漏极通过第四电阻R4连接第一发射模式使能端TXEN；所述第二NMOS管MN2的源极通过第二电容C2与发射支路的天线端ANT连接；所述第二NMOS管MN2的源极通过第五电阻R5连接第一发射模式使能端TXEN；所述第三电容C3一端分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极连接，所述第三电容C3另一端与分别与第七电阻R7一端及第三NMOS管MN3的漏极连接，第七电阻R7另一端分别与第二接收模式使能端RXEN及第八电阻R8一端连接；所述第六电阻R6一端与所述第三NMOS管MN3的栅极连接，第六电阻R6另一端分别与第四电阻R4及第五电阻R5连接，所述第八电阻R8另一端分别与第三NMOS管MN3的源极及第四电容C4连接，所述第三NMOS管MN3的源极通过第八电阻R8连接第二接收模式使能端RXEN连接；第三NMOS管MN3的漏极通过第三电容C3分别与第一NMOS管MN1的源极及第二NMOS管MN2的漏极连接；所述第三NMOS管MN3的栅极通过第六电阻R6连接第一发射模式使能端TXEN；第三NMOS管MN3的漏极通过第七电阻R7连接第二接收模式使能端RXEN；第三NMOS管MN3的源极通过第四电容C4接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家文，潘文光，
申请(专利权)人：南京中科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：