一种量子阱结构、LED芯片及制作方法技术

本发明专利技术提供了一种量子阱结构、LED芯片及制作方法，该量子阱结构包括了多个量子阱叠层，该量子阱叠层包括了In

【技术实现步骤摘要】
一种量子阱结构、LED芯片及制作方法


[0001]本专利技术涉及LED
，更具体地说，涉及一种量子阱结构、LED芯片及制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(LED)作为一种新型的半导体固态光源，其优越的性能在照明领域掀起新的浪潮。尤其是mini
‑
LED，由于其与传统LED相比，颗粒更小、显示效果更加细腻、亮度更高，已经成为当今国内外科学研究的热点。
[0003]随着科技的进步与工艺水平的提高，mini
‑
LED在发光效率、外延生长技术等方面也取得了巨大的突破，但是相比于传统LED，mini
‑
LED仍然存在一些问题亟待解决，例如，mini
‑
LED对于外延波长均匀性的要求尤其偏高，这也是目前制约mini
‑
LED技术发展的重要因素之一。
[0004]目前，量子阱结构可以应用于mini
‑
LED提升外延片波长均匀性和亮度。但是由于传统的多层量子阱In
y
Ga1‑
y
N层和G本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子阱结构，其特征在于，所述量子阱结构包括：多个量子阱叠层，多个所述量子阱叠层在第一方向上依次堆叠设置；任一所述量子阱叠层包括在所述第一方向上依次堆叠的In
y
Ga1‑
y
N层、超晶格治疗层、以及GaN层，其中，y的取值范围为0.16
‑
0.2；所述第一方向垂直于所述In
y
Ga1‑
y
N层所在平面，且由所述In
y
Ga1‑
y
N层指向所述GaN层；所述超晶格治疗层包括多个晶格叠层，多个所述晶格叠层在所述第一方向上依次堆叠设置；任一所述晶格叠层包括在所述第一方向上，依次堆叠的InN层、以及In
x
Ga1‑
x
N层，其中，x的取值范围为0.16
‑
0.2。2.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述超晶格治疗层包括2层
‑
5层的晶格叠层。3.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述InN层的厚度范围为0.1nm
‑
0.4nm。4.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述In
x
Ga1‑
x
N层的厚度范围为0.1nm
‑
0.4nm。5.根据权利要求1所述的量子阱结构，其特征在于，所述In
y...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂虎臣，崔晓慧，霍丽艳，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：