发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上分别沉积p型材料和n型材料，形成p型材料沉积层和n型材料沉积层，p型材料沉积层和n型材料沉积层部分重叠，第一次扩散后，接着沉积导电材料，形成导电材料层，第二次扩散后，设置第一电极和第二电极。这种发光二极管的制备方法可以用于纳米尺寸的发光二极管的加工制造，并且与传统方法相比，减少了工艺流程步骤，只需要简单的沉积工艺配合扩散技术，从而无需外延生长设备。与传统方法相比，这种发光二极管的制备方法用于纳米尺寸的发光二极管的加工制造时，降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电致发光
，尤其是涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管已广泛用于照明、显示、通信等多个领域。目前光二极管的一大趋势是小型化、轻薄化。将光二极管缩小至微纳米尺寸后，有利于光学集成，推动新一代显示光源、低能耗的光互联和光通讯(如Li
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Fi)、AR技术的发展。基于氮化镓(GaN)半导体掺杂的蓝光LED具有高效率、低功耗、较环保等特点。同时氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点,可广泛用于光电子领域，如光学照明光源、半导体激光器以及高温、高频、大功率射频器件。
[0003]目前成熟传统的氮化镓LED芯片主要制备流程可简化为：一是衬底制备，用有机溶剂和酸液清洗蓝宝石衬底后，采用干法刻蚀制备出图形化蓝宝石衬底。二是中间层制备，利用MOCVD进行气相外延，在高温条件下分别进行GaN缓冲层、N型GaN层、多层量子阱、P型GaN层生长制备。三是台阶刻蚀，在外延片表面形成图形化光刻胶，之后利用感应耦本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；均设置在所述衬底上且沿着水平方向依次连接的掺杂p型材料的第一p型层、多量子肼结构和掺杂n型材料的第一n型层；设置在所述第一p型层上的第二p型层，设置在所述第一n型层上的第二n型层，所述第二p型层、所述多量子肼结构和所述第二n型层沿着水平方向依次连接；设置在所述第二p型层上的第一电极；以及设置在所述第二n型层上的第二电极；所述多量子肼结构内分别掺杂有所述p型材料和所述n型材料，自所述多量子肼结构靠近所述第一p型层的一侧到远离所述第一p型层的一侧，所述p型材料在所述多量子肼结构内的掺杂浓度逐渐降低，所述n型材料在所述多量子肼结构内的掺杂浓度逐渐升高。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，自所述第一p型层靠近所述衬底的一面到远离所述衬底的一面，所述p型材料在所述第一p型层内的掺杂浓度逐渐增加；自所述第一n型层靠近所述衬底的一面到远离所述衬底的一面，所述n型材料在所述第一n型层内的掺杂浓度逐渐增加。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述p型材料为Mg，所述N型材料为Si；所述第一p型层的材料为Mg掺杂的GaN，所述第一n型层的材料为Si掺杂的GaN。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二p型层的材料为Mg和In掺杂的GaN，所述第二n型层的材料为Si和In掺杂的GaN。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，自所述第二p型层靠近所述第一p型层的一面到远离所述第一p型层的一面，In在所述第二p型层内的掺杂浓度逐渐增加；自所述第二n型层靠近所述第一n型层的一面到远离所述第一n型层的一面，In在所述第二n型层内的掺杂浓度逐渐增加。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为铟电极。7.根据权利要求1～6中任意一项所述的发光二极管，其特征在于，所述多量子肼结构的材...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭滨刚，李州，徐华毕，陈嘉婷，
申请(专利权)人：深圳市光科全息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：