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本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在衬底上分别沉积p型材料和n型材料，形成p型材料沉积层和n型材料沉积层，p型材料沉积层和n型材料沉积层部分重叠，第一次扩散后，接着沉积导电材料，形成导电材料层，第二...
该专利属于深圳市光科全息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市光科全息技术有限公司授权不得商用。

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