【技术实现步骤摘要】
利用等离子体的基板处理装置及方法
[0001]本专利技术涉及利用等离子体的基板处理装置及方法。
技术介绍
[0002]在制造半导体装置或显示装置时，可以使用利用等离子体的基板处理工艺。根据生成等离子体的方式，利用等离子体的基板处理工艺包括电容耦合等离子体(CCP：Capacitively Coupled Plasma)方式、电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)方式、以及混合两者的方式等。此外，可以利用等离子体执行干式清洗(dry cleaning)或干式蚀刻(dry etching)。
技术实现思路
[0003]干式清洗是各向同性蚀刻，且图案崩溃少，等离子体损伤少。然而，随着基板的大型化和图案的复杂化，蚀刻率(etch rate)和/或均匀度(uniformity)可能根据基板的位置而变化。
[0004]本专利技术要解决的技术问题是，提供能够控制根据基板的位置的蚀刻率和/或均匀度的、利用等离子体的基板处理装置及基板处理方法。
[0005]本专利技术的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基板处理装置，包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡器之间；第二空间，布置在所述离子阻挡器与喷头之间；处理空间，在所述喷头的下方，并且用于处理基板；第一气体供给模块，向所述第一空间提供用于生成等离子体的第一气体；第二气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的流出物混合的第二气体；以及第三气体供给模块，向所述处理空间提供与所述等离子体的所述流出物混合的第三气体，其中，所述第一气体是含氟气体，所述第二气体是含氮、氢气体，所述第三气体是与所述第二气体不同的含氮气体，以及所述基板包括暴露的含硅、氧区域。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二气体的流量控制和所述第三气体的流量控制彼此独立地进行。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，以第一流量提供所述第三气体时的均匀度高于以小于所述第一流量的第二流量提供所述第三气体时的均匀度。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述离子阻挡器包括第一过滤区域和布置在所述第一过滤区域的外侧的第二过滤区域，以及所述喷头包括第一喷淋区域和布置在所述第一喷淋区域的外侧的第二喷淋区域。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二气体和所述第三气体通过所述离子阻挡器的所述第一过滤区域供给，并且不通过所述第二过滤区域供给，以及所述第二气体和所述第三气体不通过所述喷头的所述第一喷淋区域供给，并且通过所述第二喷淋区域供给。6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二气体和所述第三气体通过所述喷头的所述第一喷淋区域和所述第二喷淋区域供给，其中，通过所述第一喷淋区域供给的所述第三气体的流量不同于通过所述第二喷淋区域供给的所述第三气体的流量。7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二气体和所述第三气体通过所述离子阻挡器的所述第一过滤区域和所述第二过滤区域供给，其中，通过所述第一过滤区域供给的所述第三气体的流量不同于通过所述第二过滤区域供给的所述第三气体的流量。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，通过所述电极提供所述第一气体和第四气体，其中，所述第四气体是含氢气体，以及所述第一气体的流量控制和所述第四气体的流量控制彼此独立地进行。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述电极包括第一电极区域和布置在所述第一电极区域的外侧的第二电极区域，以及
所述第一气体和所述第四气体通过所述第一电极区域和所述第二电极区域供给，其中，通过所述第一电极区域供给的所述第四气体的流量与通过所述第二电极区域供给的所述第四气体的流量彼此不同。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，通过所述第一电极区域供给的所述第四气体的流量大于通过所述第二电极区域供给的所述第四气体的流量，以及在所述处理空间中布置有用于支承所述基板的支承模块，所述支承模块被划分为多个区域，所述多个区域中的位于中央的区域的温度被升高到比其它区域的温度高。11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，通过所述电极附加地提供惰性气体。...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘峻宅，严永堤，朴玩哉，金东勳，李城吉，李知桓，吴东燮，卢明燮，金杜里，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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