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本发明提供能够控制根据基板的位置的蚀刻率和/或均匀度的、利用等离子体的基板处理装置及基板处理方法。所述基板处理装置包括：第一空间，布置在电极与离子阻挡器之间；第二空间，布置在所述离子阻挡器与喷头之间；处理空间，在所述喷头的下方，并且用于处理...
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