基板处理装置以及利用其的基板处理方法制造方法及图纸

公开一种基板处理装置及利用其的基板处理方法。基板处理装置包括：真空腔体；支承部，配置在所述真空腔体的内部，并支承被安装的基板；导流部，控制所述真空腔体内的气流；引导配管，与所述真空腔体连接而向外部引导所述真空腔体的内部的包括工序副产物和气体的异物质；泵，配置于所述引导配管而向外部排出所述异物质；以及异物反射部件，配置在所述导流部与所述引导配管的流入口之间，将所述气体和所述工序副产物因所述泵的螺旋桨被溅射的溅射异物反射到所述引导配管的流入口。由此，可以通过在导流部与引导配管的流入口之间配置异物反射部件，阻断因涡轮分子泵的螺旋桨引起的溅射异物从所述引导配管的流入口再次流入真空腔体的内部。体的内部。体的内部。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及利用其的基板处理方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置以及利用其的基板处理方法，更详细而言，涉及可以阻断因涡轮分子泵(Turbo molecular pump，TMP)的螺旋桨引起的溅射异物(Recoil particle)再次流入真空腔体的内部的基板处理装置以及利用其的基板处理方法。

技术介绍

[0002]通常，在有机发光显示装置(OLED)、液晶显示装置(LCD)或半导体制造工序中，为了形成图案，需要利用用于进行干式蚀刻(etching)的蚀刻设备。上述的干式蚀刻法主要利用在形成绝缘膜或半导体层的图案时，图案的精密度比湿式蚀刻法出色。
[0003]在上述的干式蚀刻法中，流入至真空腔体(vacuum chamber)的反应气体在一定压力下会被等离子体放电，通过此时生成的离子或原子团(radical)的物理碰撞或化学反应，实现薄膜的蚀刻。
[0004]干式蚀刻设备的真空腔体的内部被通过等离子体生成的副产物和气体填充。除了用于达成真空度的目的外，还为了排出副产物和排放气体以维持真空腔体内的清洁度，利用涡轮分子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：真空腔体；支承部，配置在所述真空腔体的内部，并且支承被安装的基板；导流部，控制所述真空腔体内的气流；引导配管，与所述真空腔体连接而向外部引导所述真空腔体的内部的气体和工序副产物；泵，配置于所述引导配管而向外部排出所述气体和所述工序副产物；以及异物反射部件，配置在所述导流部与所述引导配管的流入口之间，将所述气体和所述工序副产物因所述泵的螺旋桨被溅射的溅射异物反射到所述引导配管的流入口。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述异物反射部件包括：异物反射盖，具有被弯曲成内侧面的法线朝向所述引导配管的流入口的形状。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述异物反射盖是半球形状、圆锥形状、圆台形状、多角锥形状和多角锥台形状中的任一种形状。4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述异物反射部件被安装在所述引导配管的流入口。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述异物反射部件还包括：支承环，被安装在所述引导配管的流入口，并且是圆形状；以及多个支承柱，从所述支承环...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑秀泳，金庆勋，金容勋，李忠爀，郑星在，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：