半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的形成方法，在衬底上顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化；然后再利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层，最后再去除剩余的所述牺牲层。本发明专利技术在利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层时，选择有机溶剂可仅考虑去胶能力而忽略对金属导电层顶表面的腐蚀性，由于牺牲层可以保护金属导电层不被有机溶剂腐蚀，即使选择去胶能力强的有机溶剂也不会导致金属导电层的表面产生缺陷，提高了器件的良率及稳定性。了器件的良率及稳定性。了器件的良率及稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在通常的半导体制造工艺中，通过在一些膜层的表面涂布光刻胶层，然后顺次进行曝光及刻蚀以进行图形转移，在膜层上形成需要的图形之后，进行下一道工序之前，需要剥去光刻胶层。在这个过程中要求完全去除光刻胶层，同时不能腐蚀任何基材。例如，在电极的制备工艺中，需要形成图形化的光刻胶层作为掩膜，图形化的光刻胶层在电极形成后同样需要去除。
[0003]目前，可以采用湿法去胶工艺去除图形化的光刻胶层，也就是利用化学溶剂腐蚀光刻胶，从而达到去胶的目的。但是，化学溶剂为了达到较好的去胶能力，通常是富有攻击性的溶液，通常对形成电极的一些金属具有微腐蚀性，导致电极的表面产生缺陷，进而导致器件的良率及稳定性显著降低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形成方法，可以避免金属布线层或电极的表面产生缺陷，提高了器件的良率及稳定性。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；顺次形成金属导电层、牺牲层及图形化的光刻胶层于所述衬底上；以所述图形化的光刻胶层为掩模对所述金属导电层及所述牺牲层进行图形化；利用有机溶剂去除所述图形化的光刻胶层；去除剩余的所述牺牲层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化后剩余的所述金属导电层形成电极、焊盘、金属布线层、金属阻挡层或金属接触层中的任一种。3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属导电层至少包括第一金属导电层，所述第一金属导电层的材料包括钨和/或铜。4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属导电层还包括第二金属导电层，所述第一金属导电层覆盖所述第二金属导电层，所述第二金属导电层的材料包括铝和/或钛。5.如权利要求2-4中任一项所述的半导体结构的形成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王明军，刘磊，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：